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研究者
J-GLOBAL ID：201401020883992961   更新日: 2024年08月31日

長田 貴弘

ナガタ タカヒロ | Nagata Takahiro
所属機関・部署：
国立研究開発法人物質・材料研究機構 電子・光機能材料研究センター ナノ電子デバイス材料グループ

国立研究開発法人物質・材料研究機構 電子・光機能材料研究センター ナノ電子デバイス材料グループ について


職名： グループリーダー
その他の所属（所属・部署名・職名） (1件)：
ホームページURL (2件)： https://samurai.nims.go.jp/profiles/nagata_takahiro ,  https://samurai.nims.go.jp/profiles/nagata_takahiro?locale=en
研究分野 (3件)： 複合材料、界面 ,  無機材料、物性 ,  電気電子材料工学
研究キーワード (8件)： センサー ,  ワイドバンドギャップ ,  ワイドバンドギャップ半導体 ,  半導体界面 ,  電子・電気材料 ,  半導体物性 ,  電気・電子材料(半導体、誘電体、磁性体、超誘電体、有機物、絶縁体、超伝導体など) ,  金属
競争的資金等の研究課題 (7件)：
  • 2020 - 2023 フッ化物高誘電体材料/半導体界面制御による高機能半導体素子の創出
  • 2016 - 2019 強誘電体表面誘起電荷と焦電性を融合したπ電子伝導制御型自立駆動電子素子の創出
  • 2014 - 2018 フッ化物ユニバーサル高誘電体極薄膜材料の創出
  • 2014 - 2016 酸化物表面誘起電荷を用いたπ電子伝導制御型独立動作電子素子の基礎研究
  • 2014 - 2015 強誘電体分極・表面電荷を用いたπ電子材料の機能制御と電界効果素子の開発
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論文 (166件)：
  • Asahiko Matsuda, Takashi Teramoto, Takahiro Nagata, Dominic Gerlach, Peng Shen, Shigenori Ueda, Takako Kimura, Christian Dussarrat, Toyohiro Chikyow. NF3 and F2 gas fluorination of GaN surface and Pt/GaN interface analyzed by hard X-ray photoelectron spectroscopy. Applied Surface Science. 2024. 659. 159941-159941
  • Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Takahiro Nagata, Kazuhito Tsukagoshi, Jiyoung Kim, Chang-Yong Nam, Esther H.R. Tsai, Koji Kita. Effects of oxidant gas for atomic layer deposition on crystal structure and fatigue of ferroelectric HfxZr1-xO2 thin films. Solid-State Electronics. 2023. 108801-108801
  • Akito Fukui, Keigo Matsuyama, Hiroaki Onoe, Shun Itai, Hidekazu Ikeno, Shunsuke Hiraoka, Kousei Hiura, Yuh Hijikata, Jenny Pirillo, Takahiro Nagata, et al. Unusual Selective Monitoring of N,N-Dimethylformamide in a Two-Dimensional Material Field-Effect Transistor. ACS Nano. 2023
  • Ibrahima Gueye, Yasuhiro Shirai, Takahiro Nagata, Takashi Tsuchiya, Dhruba B. Khadka, Masatoshi Yanagida, Okkyun Seo, Kenjiro Miyano, Osami Sakata. Analysis of Iodide Transport on Methyl Ammonium Lead Iodide Perovskite Solar Cell Structure Through Operando Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy. Chemistry of Materials. 2023. 35. 5. 1948-1960
  • Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Takahiro Nagata, Kazuhito Tsukagoshi, Jiyoung Kim, Chang-Yong Nam, Esther H. R. Tsai, Koji Kita. Role of Interface Reaction Layer between Ferroelectric Hfxzr1-Xo2 Thin Film and Tin Electrode on Endurance Properties. 2023
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MISC (10件)：
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特許 (28件)：
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書籍 (2件)：
  • Single Crystals of Electronic Materials -Growth and Properties-
    ELSEVIER 2018 ISBN:9780081020975
  • PEDOTの材料物性とデバイス応用
    サイエンス&テクノロジー刊 2012 ISBN:9784864280389
講演・口頭発表等 (95件)：
  • ナノZrO<sub>2</sub>核生成層を用いた強誘電体Hf<sub>x</sub>Zr<sub>1-x</sub>O<sub>2</sub>薄膜の作製技術
    (応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018)
  • NBIS測定によるAl<sub>2</sub>O<sub>3</sub>パッシベーション膜を用いたIn<sub>1-x</sub>Si<sub>x</sub>O<sub>1-y</sub>C<sub>y</sub>TFTの信頼性評価
    (応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018)
  • LiNbO<sub>3</sub>の焦電効果によるグラフェンの電気特性制御の検討
    (応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018)
  • 光電子収量分光(PYS)の閾値の自動判定の検討
    (応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018)
  • 反応性スパッタ法を用いた無極性AlN薄膜成における自己電圧効果の検討
    (応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018)
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学歴 (3件)：
  • 2000 - 2003 大阪府立大学院 工学研究科 博士後期課程 物質系専攻機能物質科学
  • 1998 - 2000 大阪府立大学院 工学研究科 博士前期課程 物質系専攻機能物質科学
  • 1994 - 1998 大阪府立大学 工学部 機能物質科学科
学位 (1件)：
  • 博士(工学) (大阪府立大学)
経歴 (12件)：
  • 2023/04 - 現在 国立研究開発法人物質・材料研究機構 電子・光機能材料研究センター ナノ電子デバイス材料グループ グループリーダー
  • 2018/04 - 現在 明治大学院 理工学研究科 客員准教授
  • 2018/04 - 2023/03 物質・材料研究機構 機能性材料研究拠点 ナノ電子デバイス材料グループ グループリーダー
  • 2020/02 - 2020/07 国立成功大学(台湾) 材料工学科 非常勤講師
  • 2014/10 - 2018/03 科学技術振興機構 戦略的創造研究推進事業 さきがけ研究者
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委員歴 (11件)：
  • 2019/03 - 現在 応用物理学会 電子デバイス界面テクノロジ-研究会 副実行委員長
  • 2018/09 - 現在 Compound Semiconductor Week 2019プログラム委員
  • 2017/01 - 現在 The International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC) プログラム委員
  • 2015/04 - 現在 応用物理学会 電子デバイス界面テクノロジー研究会プログラム委員
  • 2018/04 - 2019/03 応用物理学会 第24回電子デバイス界面テクノロジ-研究会 実行委員長
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受賞 (3件)：
  • 2013/10 - 応用物理学会 The 74th JSPS Autumn Meeting, 2013, Poster Award Anisotropic growth of ZnO nanorods and their electrical properties
  • 2011/12 - Materials Research Society Outstanding Poster Award (2011) Oxygen migration at Pt or Cu/HfO2 interface under bias operation: oxide based ReRAM application
  • 2005/10 - 日本電子材料技術協会 第43回日本電子材料技術協会秋期講演大会優秀発表賞 集束イオンビームCVD法によるGaN立体構造の作製と評価
所属学会 (1件)：
応用物理学会
※　J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。 登録・更新については、こちらをご覧ください。

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