特許
J-GLOBAL ID：200903000073485547
III族窒化物系電子デバイスおよびエピタキシャル基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
長谷川 芳樹
, 寺崎 史朗
, 柴田 昌聰
, 近藤 伊知良
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-124147
公開番号（公開出願番号）：特開2007-299793
出願日： 2006年04月27日
公開日（公表日）： 2007年11月15日
要約：
【課題】キャリア補償の影響を低減可能なIII族窒化物系電子デバイスを提供する。【解決手段】III族窒化物系電子デバイス11では、ドリフト層15は主面13a上に設けられており、また1×1017cm-3未満のシリコン濃度を有するn-型III族窒化物系半導体からなる。このシリコンはドナーとして作用する。合成オフ角は主面13aの全体にわたって0.15度以上である。合成オフ角は、例えばIII族窒化物支持基体13のC面の単位法線ベクトルVCNと主面13aの単位法線ベクトルVPNとの成す角度である。合成オフ角の値は、主面13a上にわたって分布している。ドリフト層15内における炭素濃度NCは3×1016cm-3以下である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
主面を有するIII族窒化物支持基体と、
3×1016cm-3以下のシリコン濃度もしくはゲルマニウム濃度を有するn-型III族窒化物系半導体からなり前記主面上に設けられたドリフト層と
を備え、
前記ドリフト層内における炭素濃度は3×1016cm-3以下であり、
前記III族窒化物支持基体のC面の単位法線ベクトルVCNと前記主面の単位法線ベクトルVPNとの成す合成オフ角は前記主面の全体にわたって0.15度以上である、ことを特徴とするIII族窒化物系電子デバイス。
IPC (6件)：
H01L 29/47
, H01L 29/872
, H01L 29/861
, H01L 29/201
, H01L 29/12
, H01L 29/78
H01L29/48 D
, H01L29/91 F
, H01L29/203
, H01L29/78 652T
, H01L29/78 652H
4M104AA04
, 4M104CC03
, 4M104GG03
, 5F045AA04
, 5F045AB14
, 5F045AB17
, 5F045AC01
, 5F045AC08
, 5F045AC12
, 5F045AC19
, 5F045AD14
, 5F045AD15
, 5F045AE25
, 5F045BB16
, 5F045CA12
, 5F045DB04
出願人引用 (3件)
審査官引用 (7件)
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