特許
J-GLOBAL ID：200903000473411330

半導体基板、半導体基板の製造方法および電子デバイス

発明者：
高田 朋幸

高田 朋幸 について

, 
山中 貞則

山中 貞則 について

, 
秦 雅彦

秦 雅彦 について


出願人/特許権者：
住友化学株式会社

住友化学株式会社 について


代理人 (1件)： 林 茂則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-334930
公開番号（公開出願番号）：特開2009-177168
出願日： 2008年12月26日
公開日（公表日）： 2009年08月06日
要約：
【課題】安価な、また、放熱特性に優れたSi基板を用いて、良質なGaAs系の結晶薄膜を得る。【解決手段】Siの基板と、基板の上に形成され、結晶成長を阻害する阻害層とを備え、阻害層は、基板の一部を覆う被覆領域と、被覆領域の内部に基板を覆わない開口領域とを有し、さらに開口領域に結晶成長されたGe層と、Ge層の上に結晶成長され、Pを含む3-5族化合物半導体層からなるバッファ層と、バッファ層の上に結晶成長された機能層と、を備える半導体基板を提供する。当該半導体基板において、Ge層は、結晶欠陥が移動できる温度および時間でアニールされることにより形成されてよい。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
Siの基板と、 前記基板の上に形成され、結晶成長を阻害する阻害層とを備え、 前記阻害層は、前記基板の一部を覆う被覆領域と、前記被覆領域の内部に前記基板を覆わない開口領域とを有し、 さらに前記開口領域に結晶成長されたGe層と、 前記Ge層の上に結晶成長され、Pを含む3-5族化合物半導体層からなるバッファ層と、 前記バッファ層の上に結晶成長された機能層と、 を備える半導体基板。
IPC (2件)：
H01L 21/20 ,  H01L 23/14
FI (2件)：
H01L21/20 ,  H01L23/14 S
Fターム (27件)：
5F152LL03 ,  5F152LL05 ,  5F152LL07 ,  5F152LL09 ,  5F152LL10 ,  5F152LN03 ,  5F152LN16 ,  5F152LN17 ,  5F152LN21 ,  5F152LN32 ,  5F152MM05 ,  5F152MM07 ,  5F152MM10 ,  5F152MM11 ,  5F152MM13 ,  5F152NN03 ,  5F152NN27 ,  5F152NP04 ,  5F152NP05 ,  5F152NP06 ,  5F152NP09 ,  5F152NP12 ,  5F152NP13 ,  5F152NP14 ,  5F152NP22 ,  5F152NP23 ,  5F152NQ06
引用特許：
審査官引用 (17件)
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引用文献：
審査官引用 (4件)
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