特許
J-GLOBAL ID：200903001943320120

半導体装置

発明者：
佐藤 政明

佐藤 政明 について


出願人/特許権者：
新日本無線株式会社

新日本無線株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-242648
公開番号（公開出願番号）：特開2008-066508
出願日： 2006年09月07日
公開日（公表日）： 2008年03月21日
要約：
【課題】 ドリフト領域の寸法を大きくすることなく、必要な耐圧を確保することができ、あるいはさらに、耐圧の低下がなく、低オン抵抗化を図ることができる半導体装置を提供する。 【解決手段】 リサーフ構造の半導体装置であって、ゲート電極が積層形成されたゲート絶縁膜直下に、周囲をドリフト領域で囲まれたフローティング構造とした不純物領域を備える。この不純物領域の不純物濃度は、ドリフト領域と形成する接合の電界極大点の電界強度が、半導体装置の他の電界極大点の電界強度より小さいか、あるいは一致するよう設定されている。 【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
一導電型の半導体層表面に選択的に形成された、一導電型のボディー領域及び逆導電型のドリフト領域と、 前記ボディー領域表面に選択的に形成された逆導電型のソース領域と、 前記ドリフト領域表面に選択的に形成された逆導電型のドレイン領域と、 前記ソース領域と前記ドリフト領域との間の前記ボディー領域及び前記ソース領域側の前記ドリフト領域上に、ゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、 前記ソース領域に接続するソース電極と、 前記ドレイン領域に接続するドレイン電極とを備えた半導体装置において、 前記ゲート電極が積層形成された前記ゲート絶縁膜直下の前記ドリフト領域中に、周囲を前記ドリフト領域で囲まれ、前記ドリフト領域と形成する接合の電界極大点の電界強度が、前記ゲート電極エッジ直下の前記ドリフト領域部あるいは前記ゲート絶縁膜の厚さが厚くなる境界の前記ドリフト領域部、前記ドレイン領域と前記ドリフト領域との接合部のいずれかの電界極大点の電界強度より小さいか、あるいは略一致するよう設定された不純物濃度の一導電型の不純物領域が形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/786
FI (2件)：
H01L29/78 301D ,  H01L29/78 616S
Fターム (30件)：
5F110AA07 ,  5F110AA11 ,  5F110BB12 ,  5F110CC10 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110FF12 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ06 ,  5F110HM12 ,  5F110HM15 ,  5F140AA25 ,  5F140AA30 ,  5F140AC21 ,  5F140AC36 ,  5F140BB03 ,  5F140BC06 ,  5F140BD19 ,  5F140BF01 ,  5F140BF44 ,  5F140BH17 ,  5F140BH19 ,  5F140BH30 ,  5F140BH41 ,  5F140BH43 ,  5F140BH49 ,  5F140BK13
引用特許：
出願人引用 (13件)
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審査官引用 (13件)
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