特許
J-GLOBAL ID：200903002737507643

半導体装置およびその製造方法

発明者：
生田目 俊秀

生田目 俊秀 について

, 
岩本 邦彦

岩本 邦彦 について

, 
上牟田 雄一

上牟田 雄一 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について

, 
ローム株式会社

ローム株式会社 について

, 
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-316545
公開番号（公開出願番号）：特開2009-141161
出願日： 2007年12月07日
公開日（公表日）： 2009年06月25日
要約：
【課題】高誘電率膜をゲート絶縁膜として用い、pチャネル型MISFETおよびnチャネル型MISFETのそれぞれに要求されるしきい値電圧を容易に実現できる相補型MISFETおよびその製造技術を提供する。【解決手段】n型ウエル3およびp型ウエル4のそれぞれの表面に清浄な酸化シリコン膜5を形成した後、酸化シリコン膜5上に2A族元素の酸化物、3A族元素の酸化物、3B族元素の酸化物、4A族元素の酸化物、および5A族元素の酸化物等からなる酸素欠損調整層6と、高誘電率膜8と、水素に対する還元触媒効果を有する導電性膜12とを順次堆積し、H2を含む雰囲気中にて基板1に対して熱処理を施すことで酸素欠損調整層6と酸化シリコン膜5との間にダイポールを形成する。その後、導電性膜12、高誘電率膜8、酸素欠損調整層6および酸化シリコン膜5等をパターニングしてゲート電極およびゲート絶縁膜を形成する。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
半導体基板の主面上において、酸化シリコンより相対的に誘電率の大きい第1ゲート絶縁膜および水素に対する還元触媒効果を有する第1金属膜を含む第1ゲート電極を備えたMISFETを含む半導体装置であって、 前記第1ゲート絶縁膜は、下層から酸化シリコン層、酸素欠損調整層および前記酸化シリコン層より相対的に誘電率の大きい高誘電率層が積層されて形成され、 前記酸素欠損調整層は、2A族元素、3A族元素、3B族元素、4A族元素または5A族元素を含む酸化物であることを特徴とする半導体装置。
IPC (9件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/08 ,  H01L 29/786 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/316
FI (10件)：
H01L29/78 301G ,  H01L27/08 321D ,  H01L27/08 331E ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 617U ,  H01L29/78 617M ,  H01L29/78 613A ,  H01L29/58 G ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/316 X
Fターム (128件)：
4M104AA01 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB17 ,  4M104BB19 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104BB25 ,  4M104BB27 ,  4M104BB28 ,  4M104BB32 ,  4M104CC05 ,  4M104DD68 ,  4M104EE03 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F048AA01 ,  5F048AA07 ,  5F048AC03 ,  5F048AC04 ,  5F048BA01 ,  5F048BA16 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB10 ,  5F048BB11 ,  5F048BB13 ,  5F048BB17 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048BF02 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048BF11 ,  5F048BF12 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F058BC03 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF37 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ01 ,  5F110AA08 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE15 ,  5F110EE32 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF09 ,  5F110FF10 ,  5F110FF27 ,  5F110FF36 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HL01 ,  5F110HL04 ,  5F110HL11 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110NN62 ,  5F110QQ17 ,  5F110QQ19 ,  5F140AA06 ,  5F140AA39 ,  5F140AB03 ,  5F140AC01 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD02 ,  5F140BD05 ,  5F140BD11 ,  5F140BE02 ,  5F140BE03 ,  5F140BE09 ,  5F140BE14 ,  5F140BE16 ,  5F140BE17 ,  5F140BF05 ,  5F140BF10 ,  5F140BF14 ,  5F140BF20 ,  5F140BF21 ,  5F140BF22 ,  5F140BF24 ,  5F140BF28 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG27 ,  5F140BG28 ,  5F140BG33 ,  5F140BG37 ,  5F140BG44 ,  5F140BG45 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH15 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140CA02 ,  5F140CA03 ,  5F140CC03 ,  5F140CC12 ,  5F140CE02 ,  5F140CE07 ,  5F140CE16
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (9件)
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