特許
J-GLOBAL ID：200903004217337918

半導体装置の製造方法及びその方法により製造される半導体装置

発明者：
五月女 栄宏

五月女 栄宏 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-012035
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217130
出願日： 2001年01月19日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置の微細化や薄膜化に適した半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】 半導体基板上に還元性を有する第1の金属膜を形成する工程と、半導体基板上に自然に形成された自然酸化膜を、熱処理を行うことにより第1の金属膜で還元する工程と、半導体基板上に半導体基板と第1の金属膜とを反応させたシリサイド膜を拡散律速により形成する工程と、未反応の第1の金属膜を選択除去する工程と、半導体基板上に第2の金属膜を形成する工程と、半導体基板の表層部分に半導体基板と第2の金属膜とを反応させたシリサイド膜を熱処理を行うことにより形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供することにより、上記の課題を解決する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に還元性を有する第1の金属膜を形成する工程と、半導体基板上に自然に形成された自然酸化膜を、熱処理を行うことにより第1の金属膜で還元する工程と、半導体基板上に半導体基板と第1の金属膜とを反応させたシリサイド膜を拡散律速により形成する工程と、未反応の第1の金属膜を選択除去する工程と、半導体基板上に第2の金属膜を形成する工程と、半導体基板の表層部分に半導体基板と第2の金属膜とを反応させたシリサイド膜を熱処理を行うことにより形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336
FI (3件)：
H01L 21/28 301 S ,  H01L 21/88 Q ,  H01L 29/78 301 P
Fターム (58件)：
4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB20 ,  4M104BB25 ,  4M104CC01 ,  4M104DD02 ,  4M104DD23 ,  4M104DD37 ,  4M104DD79 ,  4M104DD80 ,  4M104DD84 ,  4M104FF14 ,  4M104GG09 ,  5F033HH04 ,  5F033HH25 ,  5F033HH27 ,  5F033KK25 ,  5F033KK27 ,  5F033MM07 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ82 ,  5F033QQ94 ,  5F033WW02 ,  5F033WW03 ,  5F033XX03 ,  5F140AA10 ,  5F140AA13 ,  5F140AA39 ,  5F140AB03 ,  5F140BA01 ,  5F140BA03 ,  5F140BA06 ,  5F140BA07 ,  5F140BD05 ,  5F140BE07 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BG08 ,  5F140BG28 ,  5F140BG37 ,  5F140BG53 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ09 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK19 ,  5F140BK23 ,  5F140BK26 ,  5F140BK29 ,  5F140BK33 ,  5F140BK34 ,  5F140BK39 ,  5F140CB01 ,  5F140CF04
引用特許：
出願人引用 (13件)
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審査官引用 (8件)
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