特許
J-GLOBAL ID：200903006881405648

試料表面検査装置及び検査方法

発明者：
野路 伸治

野路 伸治 について

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内藤 儀彦

内藤 儀彦 について

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曽布川 拓司

曽布川 拓司 について

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畠山 雅規

畠山 雅規 について

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寺尾 健二

寺尾 健二 について

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村上 武司

村上 武司 について

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奥村 勝弥

奥村 勝弥 について

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東木 達彦

東木 達彦 について


出願人/特許権者：
株式会社荏原製作所

株式会社荏原製作所 について

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株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (7件)： 社本 一夫 ,  小野 新次郎 ,  千葉 昭男 ,  神田 藤博 ,  内田 博 ,  星野 修 ,  宮前 徹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-016553
公開番号（公開出願番号）：特開2007-200658
出願日： 2006年01月25日
公開日（公表日）： 2007年08月09日
要約：
【課題】半導体デバイスの製造過程の欠陥検査装置において従来にはない精度の良い欠陥検査装置及び検査(或いは評価)方法を実現する。【解決手段】写像型電子線検査装置で試料表面を検査する方法において、電子銃21から発生した電子ビームによる前記試料表面上の照射領域のサイズを、前記試料表面上のパターンサイズより大きくかつ概ね円形若しくは楕円形に形成し、前記電子ビームを前記試料表面上のパターンのほぼ中心に照射し、前記電子ビームの照射により前記試料表面から発生した二次電子を検出器の電子検出面で結像させ前記試料表面を検査する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
写像型電子線検査装置で試料表面を検査する方法において、電子銃から発生した電子ビームによる前記試料表面上の照射領域のサイズを、前記試料表面上のパターンサイズより大きくかつ概ね円形若しくは楕円形に形成し、前記電子ビームを前記試料表面上のパターンのほぼ中心に照射し、前記電子ビームの照射により前記試料表面から発生した二次電子を検出器の電子検出面で結像させ前記試料表面を検査する事を特徴とする試料表面検査方法。
IPC (3件)：
H01J 37/29 ,  H01L 21/66 ,  H01L 21/027
FI (3件)：
H01J37/29 ,  H01L21/66 P ,  H01L21/30 502V
Fターム (4件)：
4M106AA01 ,  4M106BA02 ,  4M106CA50 ,  4M106DH24
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (10件)
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