特許
J-GLOBAL ID：200903007161585564

基板処理方法及び基板処理装置

発明者：
伊藤 美岳

伊藤 美岳 について


出願人/特許権者：
伊藤 美岳

伊藤 美岳 について


代理人 (1件)： 青木 宏義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-239374
公開番号（公開出願番号）：特開2007-036268
出願日： 2006年09月04日
公開日（公表日）： 2007年02月08日
要約：
【課題】処理液、例えばレジスト液或いは現像液が熱影響にて劣化等の影響を極力抑制すること。【解決手段】収納容器499は、インタフェースユニット部IFUの下方位置に配置されている。この配置位置としては、基板受渡部の基板搬入出口19の下部より垂直方向の距離V100下方に配置された露光装置と基板を受渡しする渡し部4或いは受取部5より垂直方向の距離V101下方に設定されている。インタフェースユニット部IFU内は少なくとも基板搬入出口19或いは渡し部4或いは受取部5に対して温度調節されたダウンフローDFが直接作用するように構成され、基板搬入出口19或いは渡し部4或いは受取部5からの熱伝達を緩和するように構成されている。【選択図】図15
請求項（抜粋）：
被処理基板上の露光済みレジストを現像処理する現像処理室を複数有し各現像処理室にて前記被処理基板を処理する基板処理方法であって、前記被処理基板を静止させた状態で被処理基板に現像液を供給し液盛する工程と、前記被処理基板を静止させた状態で被処理基板上の露光済みレジストの現像処理を進行させる工程と、前記被処理基板にリンス液を供給しないで被処理基板を下方向に移動する工程と、前記被処理基板を回転させている状態で被処理基板にリンス液を供給する工程と、を前記各現像処理室での被処理基板の処理工程は具備し、これらの工程は前記複数の現像処理室内を同時または/及び一括して排気される状態にて各現像処理室内で各々実施されることを特徴とする基板処理方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/30
FI (2件)：
H01L21/30 569C ,  G03F7/30
Fターム (6件)：
2H096AA25 ,  2H096GA18 ,  2H096GA29 ,  2H096GA30 ,  2H096GA33 ,  5F046LA07
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 特開平2-296316号公報
  • 特許第3257038号
審査官引用 (12件)
  • 現像処理方法及び現像処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-339163   出願人：東京エレクトロン株式会社
  • 基板処理装置及び基板処理方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-077548   出願人：東京エレクトロン株式会社
  • 特開平4-174848
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