絶縁膜の成膜方法、半導体装置の製法、プラズマCVD装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：清原義博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-112725
公開番号（公開出願番号）：特開2007-287890
出願日： 2006年04月14日
公開日（公表日）： 2007年11月01日
要約：

【課題】プラズマCVD法により、原料となるガスとして有機材料ガスを用いて絶縁膜を形成する際、温度の上昇を抑制しつつ、有機材料ガスの乖離を十分に行い、絶縁膜を良好なものとする。【解決手段】基板にプラズマCVD法を用いて絶縁膜を成膜する方法であって、前記プラズマCVD法において、絶縁膜の原料となるガスとして有機材料ガスを用い、且つプラズマを発生させるために印加する高周波電力を、一定の時間間隔を設けて印加することを特徴とする絶縁膜の成膜方法である。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

基板にプラズマCVD法を用いて絶縁膜を成膜する方法であって、前記プラズマCVD法において、絶縁膜の原料となるガスとして有機材料ガスを用い、且つプラズマを発生させるために印加する高周波電力を、一定の時間間隔を設けて印加することを特徴とする絶縁膜の成膜方法。

IPC (8件)：

H01L 21/316 , C23C 16/44 , C23C 16/505 , H01L 21/768 , H01L 21/283 , H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 21/31

FI (9件)：

H01L21/316 X , C23C16/44 A , C23C16/505 , H01L21/90 P , H01L21/283 B , H01L29/78 617V , H01L29/78 617T , H01L29/78 618B , H01L21/31 C

Fターム (88件)：

4K030AA06 , 4K030AA14 , 4K030BA44 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA03 , 4K030JA16 , 4K030KA17 , 4K030KA18 , 4K030LA02 , 4K030LA15 , 4M104AA01 , 4M104AA02 , 4M104AA03 , 4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104EE03 , 4M104EE16 , 4M104FF13 , 4M104GG08 , 4M104GG09 , 4M104HH20 , 5F033GG00 , 5F033GG01 , 5F033GG03 , 5F033HH17 , 5F033HH18 , 5F033HH35 , 5F033HH38 , 5F033JJ17 , 5F033JJ18 , 5F033KK17 , 5F033KK18 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ37 , 5F033RR03 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033SS01 , 5F033SS03 , 5F033SS04 , 5F033SS15 , 5F033VV15 , 5F033XX00 , 5F045AA08 , 5F045AB32 , 5F045AC07 , 5F045AC08 , 5F045AF01 , 5F045BB07 , 5F045CA05 , 5F045DP03 , 5F045DQ10 , 5F045EH19 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BF07 , 5F058BF25 , 5F058BF27 , 5F058BJ02 , 5F058BJ04 , 5F110AA12 , 5F110AA17 , 5F110AA26 , 5F110BB01 , 5F110CC05 , 5F110DD01 , 5F110EE04 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF22 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG04 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG33 , 5F110GG35 , 5F110HK04 , 5F110HK33 , 5F110HL04

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置の製造方法および半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-341339 出願人：株式会社日立製作所, 日立東京エレクトロニクス株式会社

審査官引用 (12件)

成膜方法及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-263991 出願人：キヤノン販売株式会社, 株式会社半導体プロセス研究所
成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-048059 出願人：東京エレクトロン株式会社
プラズマCVD装置及び薄膜製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-283098 出願人：日本真空技術株式会社

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