特許
J-GLOBAL ID:200903010860243815
パワー制御回路および車両
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 武藤 正
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-002883
公開番号(公開出願番号):特開2006-191774
出願日: 2005年01月07日
公開日(公表日): 2006年07月20日
要約:
【課題】 サージ電圧が低減されたパワー制御回路および車両を提供する。【解決手段】 電流制御回路11は、ノードN1とノードN2との間に並列接続され、各々が制御電極に与えられる信号に応じてノードN1,N2の間に流れる電流を制御するIGBT素子GA,GB,GCと、制御信号が与えられる共通入力ノードとIGBT素子GA,GB,GCの制御電極との間にそれぞれ接続され、互いに異なる抵抗値を有する抵抗素子RA,RB,RCとを含む。好ましくは、抵抗RA〜RCの各々は、接続されている電流制御素子であるIGBT素子GA〜GCの冷却特性に対応して定められた抵抗値を有する。IGBT素子GAは、IGBT素子GCに比較して冷却特性が良く、IGBT素子GAに接続される抵抗RAは、IGBT素子GCに接続される抵抗RA〜RCに比較して抵抗値が大きい。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
第1、第2のノードの間に並列接続され、各々が制御電極に与えられる信号に応じて前記第1、第2のノード間に流れる電流を制御する複数の電流制御素子と、
制御信号が与えられる共通入力ノードと前記複数の電流制御素子の制御電極との間にそれぞれ接続され互いに異なる抵抗値を有する複数の抵抗素子とを備える、パワー制御回路。
IPC (2件):
FI (4件):
H02M1/00 M
, H02M1/00 F
, H02M1/00 R
, H02M1/08 341B
Fターム (12件):
5H740AA05
, 5H740BA11
, 5H740BB02
, 5H740BB05
, 5H740BB09
, 5H740BB10
, 5H740KK01
, 5H740MM08
, 5H740MM18
, 5H740PP01
, 5H740PP02
, 5H740PP05
引用特許:
出願人引用 (2件)
-
半導体電力変換装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-391819
出願人:株式会社明電舎
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半導体電力変換装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-391818
出願人:株式会社明電舎
審査官引用 (15件)
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