特許
J-GLOBAL ID：200903011102812414
マスクブランク及びマスク
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤村 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-368617
公開番号（公開出願番号）：特開2007-171520
出願日： 2005年12月21日
公開日（公表日）： 2007年07月05日
要約：
【課題】遮光性膜のパターニングの解像性を高める。【解決手段】化学増幅型レジスト膜20が形成されるマスクブランク10であって、基板12と、基板12上に形成された遮光性膜13と、化学増幅型レジスト膜20の失活を抑制するために遮光性膜13上に形成されたレジスト下地膜18とを備え、パターニングされた化学増幅型レジスト膜20をマスクといて遮光性膜13をエッチングする場合に、失活抑制膜18のエッチングレートが化学増幅型レジスト膜20のエッチングレートよりも速い。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
化学増幅型レジスト膜が形成されるマスクブランクであって、
基板と、
前記基板上に形成された、転写パターンとなる薄膜、又は転写パターンを形成するための薄膜と、
前記化学増幅型レジスト膜と前記薄膜との間に形成されたレジスト下地膜と
を備え、
前記薄膜には、金属、及び酸素と窒素の少なくとも一方の元素が含まれており、
パターニングされた前記化学増幅型レジスト膜をマスクとして前記薄膜をエッチングする場合に、前記レジスト下地膜のエッチングレートが前記レジスト膜のエッチングレートよりも速いことを特徴とするマスクブランク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F1/08 A
, H01L21/30 502P
2H095BB01
, 2H095BB10
, 2H095BB14
, 2H095BC04
, 2H095BC24
出願人引用 (1件)
審査官引用 (14件)
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