特許
J-GLOBAL ID：200903012089542859

シリコン系薄膜光電変換素子の製造方法、製造装置およびシリコン系薄膜光電変換素子

発明者：
三宮 仁

三宮 仁 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-173847
公開番号（公開出願番号）：特開2008-004813
出願日： 2006年06月23日
公開日（公表日）： 2008年01月10日
要約：
【課題】i型非晶質シリコン系光電変換層とi型結晶質シリコン系光電変換層を同一の成膜室内でプラズマCVD法により形成しても、i型非晶質シリコン系光電変換層にも良質な膜を得ることができる、シリコン系薄膜光電変換素子の製造方法、製造装置および光電変換素子を提供する。【解決手段】プラズマ発生用の電力供給手段108にCW交流電源とパルス変調された交流電源の両方を備え、CW交流電源を用いてi型結晶質シリコン系光電変換層を成膜し、パルス変調された交流電源を用いてi型非晶質シリコン系光電変換層を成膜する。パルス変調された交流電源では、瞬間的な印加電圧を大きくすることができ、均一なプラズマを発生させ、かつ、投入される電力量の時間平均値を低減し成膜速度を低下させることができるので、良質なi型非晶質シリコン系光電変換層が成膜できる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
プラズマCVD法により同一の成膜室で、少なくともi型非晶質シリコン系光電変換層およびi型結晶質シリコン系光電変換層を形成するシリコン系薄膜光電変換素子の製造方法であって、 前記i型非晶質シリコン系光電変換層をパルス変調された交流電力を用いて形成する工程と、 前記i型結晶質シリコン系光電変換層をCW交流電力を用いて形成する工程と、 前記パルス変調された交流電力と前記CW交流電力を切換える工程と、 を有することを特徴とするシリコン系薄膜光電変換素子の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 31/04 ,  C23C 16/517
FI (2件)：
H01L31/04 V ,  C23C16/517
Fターム (30件)：
4K030AA05 ,  4K030AA06 ,  4K030AA07 ,  4K030AA08 ,  4K030AA10 ,  4K030BA29 ,  4K030BA30 ,  4K030BB01 ,  4K030CA06 ,  4K030FA03 ,  4K030JA03 ,  4K030JA16 ,  4K030KA30 ,  4K030LA16 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051AA16 ,  5F051BA11 ,  5F051CA02 ,  5F051CA03 ,  5F051CA04 ,  5F051CA16 ,  5F051CA21 ,  5F051CA23 ,  5F051CA35 ,  5F051DA04 ,  5F051DA17 ,  5F051FA03 ,  5F051FA06 ,  5F051GA03
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (15件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM