特許
J-GLOBAL ID：200903012751701890
高められた熱伝導度を有するLED光源
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (9件)：
奥山 尚一
, 有原 幸一
, 松島 鉄男
, 河村 英文
, 吉田 尚美
, 中村 綾子
, 岡本 正之
, 深川 英里
, 森本 聡二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-193814
公開番号（公開出願番号）：特開2009-141318
出願日： 2008年07月28日
公開日（公表日）： 2009年06月25日
要約：
【課題】光源の製造時、最終製品における光源の取付け時、および後に光源が使用されるときに発生する、構成要素間の熱膨張係数の差による装置障害を防止する。【解決手段】光源と同光源を製造するための方法とが開示される。本光源は、基板31と複数のダイとカプセル材料の透明な層とを含む。本基板は、第1の金属のパターン化された層32,33を有する上面と第2の金属のパターン化された層を有する下面とを有する絶縁層を含む。第1の金属のパターン化された層は複数のダイ取付け領域を含み、第2の金属のパターン化された層はダイ取付け領域の下にある第1のコンタクト層を含み、ダイ取付け領域と第1のコンタクト層はダイ取付け領域の各々において金属被覆されたビア38によって接続される。透明なカプセル材料は複数のダイをカバーし、第1の金属のパターン化された層と絶縁層の上面とに結合される。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
上面と下面とを有する絶縁層を備える基板であって、前記上面は第1の金属のパターン化された層を有し、前記下面は第2の金属のパターン化された層を有し、前記第1の金属のパターン化された層は複数のダイ取付け領域を備える第1の部分を有し、前記第2の金属のパターン化された層は前記ダイ取付け領域の下にある第1のコンタクト層を備え、前記ダイ取付け領域と前記第1のコンタクト層は前記ダイ取付け領域の各々において金属被覆されたビアによって接続される、基板と、
それぞれが、前記ダイ取付け領域のうちの対応する領域に取り付けられると共にそこに電気的に接続された固体発光器を備える、複数のダイと、
前記複数のダイをカバーし、前記第1の金属のパターン化された層と前記絶縁層の前記上面とに結合された透明なカプセル材料と
を備える、光源。
IPC (4件)：
H01L 33/00
, F21V 19/00
, F21V 29/00
, F21S 2/00
H01L33/00 N
, F21V19/00 170
, F21V29/00 111
, F21S2/00 230
3K013AA07
, 3K013BA01
, 3K013CA05
, 3K014AA01
, 3K014LA01
, 3K014LB04
, 3K243MA01
, 5F041AA33
, 5F041AA40
, 5F041DA07
, 5F041DA12
, 5F041DA13
, 5F041DA19
, 5F041DA20
, 5F041DA34
, 5F041DA39
, 5F041DA43
, 5F041DA57
, 5F041DB07
, 5F041DC83
, 5F041FF11
