レジスト下層膜用組成物の製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-197300
公開番号（公開出願番号）：特開2001-022082
出願日： 1999年07月12日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】レジストパターンの再現性、レジストとの密着性、現像液に対する耐性に優れ、レジストの酸素アッシング時の膜減りの少ないレジスト下層膜用組成物の製造方法を提供する。【解決手段】一般式(1)又は(2)からなる群から選ばれる少なくとも一種の化合物を一般式(3)で表される有機溶剤と触媒の存在下で加水分解及び/又は縮合させる。R1aSi(OR2)4-a・・・・・(1)R3b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6c・・・・・(2)R8O(R12O)eR9・・・・・(3)(R1は水素原子、フッ素原子又は1価の有機基を、R2〜R6は1価の有機基を、R7は酸素原子又は(CH2)n-を、a〜cは0〜2、dは0又は1、nは1〜6の数を示す。)

請求項（抜粋）：

(A)(A-1)下記一般式(1)で表される化合物R1aSi(OR2)4-a ・・・・・(1)(R1は水素原子、フッ素原子または1価の有機基を示し、R2は1価の有機基を示し、aは0〜2の整数を表す。)および(A-2)下記一般式(2) で表される化合物R3b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6c ・・・・・(2)(R3、R4、R5およびR6は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基を示し、bおよびcは、同一でも異なっていてもよく、0〜2の数を示し、R7は酸素原子または-(CH2)n-を示し、dは0または1を示し、nは1〜6の数を示す。)からなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物を下記一般式(3)で表される有機溶剤と触媒の存在下で加水分解および/または縮合させることを特徴とするレジスト下層膜用組成物の製造方法。R8O(R12O)eR9 ・・・・・(3)(R8およびR9は、それぞれ独立して水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、アルコキシカルボニル基およびフェニル基から選ばれる1価の有機基を示し、R12はアルキレン基を示し、eは1〜2の整数を表す。)

IPC (4件)：

G03F 7/11 503 , C08L 83/04 , C08L 83/14 , H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 7/11 503 , C08L 83/04 , C08L 83/14 , H01L 21/30 574

Fターム (36件)：

2H025AA00 , 2H025AA03 , 2H025AA04 , 2H025AA08 , 2H025AA14 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD01 , 2H025AD03 , 2H025BJ10 , 2H025CC06 , 2H025DA35 , 4J002CP021 , 4J002CP031 , 4J002CP081 , 4J002CP141 , 4J002DD017 , 4J002DF027 , 4J002DG047 , 4J002DH027 , 4J002EA016 , 4J002EC036 , 4J002EC046 , 4J002EC077 , 4J002ED026 , 4J002ED056 , 4J002EF037 , 4J002EF057 , 4J002EF067 , 4J002EF097 , 4J002EH036 , 4J002FD206 , 4J002FD207 , 4J002GP03 , 5F046HA01

引用特許：

審査官引用 (16件)

シリカ系被膜形成用塗布液及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-298736 出願人：東京応化工業株式会社
コーティング用組成物の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-245333 出願人：東レ株式会社
光学材料形成用塗液組成物および光学材料
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-032497 出願人：東レ株式会社

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