シリカ薄膜及びその製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-091695
公開番号（公開出願番号）：特開2007-266462
出願日： 2006年03月29日
公開日（公表日）： 2007年10月11日
要約：

【課題】プラズマ化学気相堆積法による有機・無機複合原料を用いるシリカを主成分とする薄膜中に半径が0.3nm-1.0nmの範囲のサブナノスケール空孔を限定的に形成して、比誘電率および屈折率の減少したシリカ薄膜及びその製造方法を提供。【解決手段】ケイ酸アルキル及び炭化水素からなる混合物中の炭化水素の割合が0.1から1.5である混合物にプラズマ化学気相堆積法による操作が、ケイ酸アルキル流量が20sccm-50sccmであり、炭化水素流量は4sccm-35sccmであり、希釈用不活性ガス流量は40sccm-80sccmであり、成膜反応炉内圧力は50Pa-150Paであり、高周波RF放電出力は200W-300Wであり、基板温度は80°C-100°C、前記得られた複合薄膜を300°C以上での加熱処理もしくは有機シリカ複合膜堆積時の基板温度での酸素プラズマ処理により有機物質を分解脱離させるシリカ薄膜及びその製造方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたシリカ薄膜中に含まれる空孔が半径0.3nmから半径1.0nm未満の範囲に特定された空孔であることを特徴とするシリカ薄膜。

IPC (3件)：

H01L 21/316 , C23C 16/42 , C23C 16/56

FI (3件)：

H01L21/316 X , C23C16/42 , C23C16/56

Fターム (24件)：

4K030AA01 , 4K030AA06 , 4K030BA44 , 4K030BA48 , 4K030BB01 , 4K030CA04 , 4K030DA08 , 4K030DA09 , 4K030FA03 , 4K030JA05 , 4K030JA06 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030JA16 , 5F058BC02 , 5F058BF07 , 5F058BF25 , 5F058BF26 , 5F058BF37 , 5F058BF39 , 5F058BH03 , 5F058BH16 , 5F058BH17 , 5F058BJ02

引用特許：

出願人引用 (10件)

低屈折率SiO2 膜及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-315992 出願人：大日本印刷株式会社
気孔を有する反射防止膜とその製法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-088609 出願人：科学技術振興事業団
低誘電率絶縁膜形成用材料及びその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-375435 出願人：松下電器産業株式会社

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審査官引用 (4件)

アルキルヒドリドシロキサン樹脂からのナノ多孔質シリコーン樹脂の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-377614 出願人：ダウ・コ-ニング・コ-ポレ-ション
低誘電率絶縁膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-154429 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所, 株式会社半導体プロセス研究所
ポロゲン、ポロゲン化された前駆体および低誘電率をもつ多孔質有機シリカガラス膜を得るためにそれらを使用する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-113408 出願人：エアプロダクツアンドケミカルズインコーポレイテッド

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