低屈折率SiO2 膜及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：光来出良彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-315992
公開番号（公開出願番号）：特開平10-230561
出願日： 1997年10月31日
公開日（公表日）： 1998年09月02日
要約：

【要約】【課題】 SiO2 膜とするための原料を用い、しかもその屈折率を従来のSiO2 膜の屈折率よりも低い屈折率のSiO2 膜を提供する。【解決手段】 F原子を含むガス、Si原子及び炭素原子が1〜4個のアルキル基またはアルキル基のH原子の一部または全部がF原子に置換されているものを含むガス、及びO原子を含むガスを原料ガスとし、真空チャンバー1内でプラズマCVD法によりプラズマゾーン5にてウエッブ2上にSiO2 膜を形成する。得られたSiO2 膜はF原子、炭素原子が1〜4個のアルキル基、及び炭素原子が1〜4個のアルキル基のH原子の一部または全部がF原子に置換されたものから選ばれた1種以上の低屈折率要素が導入されており、該低屈折率要素が導入されていないSiO2 膜に比べて屈折率が低い。

請求項（抜粋）：

F原子、炭素原子が1〜4個のアルキル基、及び炭素原子が1〜4個のアルキル基のH原子の一部または全部がF原子に置換されたものから選ばれた1種以上の低屈折率要素が導入された低屈折率SiO2 膜。

IPC (5件)：

B32B 9/00 , B32B 7/02 103 , C03C 17/245 , C23C 16/42 , G02B 1/11

FI (5件)：

B32B 9/00 A , B32B 7/02 103 , C03C 17/245 Z , C23C 16/42 , G02B 1/10 A

引用特許：

審査官引用 (19件)

反射防止フイルム
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-052601 出願人：大日本印刷株式会社
低損失光導波路及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-247435 出願人：日立電線株式会社
傾斜層の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-330481 出願人：カールツァイススティフツンク

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