特許
J-GLOBAL ID：200903083973083730
半導体レーザ素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏木 慎史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-229794
公開番号（公開出願番号）：特開2001-053386
出願日： 1999年08月16日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：
【要約】【課題】 電流狭窄層の結晶性改善により特性が向上した波長600〜660nm帯の半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 基本的には、クラッド層105,107がGaPとGaAsの間の格子定数を持つAlGaInAsP系の半導体レーザ素子において、電流狭窄層110の半導体材料をAlGaInAsPとする。即ち、電流狭窄層110にAsを組成として含むAlGaInAsPを用いることでヒロックが減少し、素子表面の平坦性及び結晶性が改善し、寿命などの素子信頼性が向上する。これによってヒロックを介した電流狭窄層110部分の電流リークパスが減少し、かつ、電流狭窄層110部分のヒロックによる光散乱が抑制されるので導波損失も減少する。これらにより閾値電流値は低減する。
請求項（抜粋）：
第一導電型半導体基板上にGaAsとGaPの間の格子定数を持つ第一導電型クラッド層、及び活性層と、この活性層上に前記格子定数を有する第二導電型クラッド層とを少なくとも形成した後、前記活性層の電流通路ストライプ所定領域を形成するために、前記第二導電型クラッド層の電流通路ストライプ所定領域をリッジ形状にエッチングし、前記活性層の電流通路ストライプ所定領域以外の電流を狭窄するために第一導電型電流狭窄層を設けた半導体レーザ素子において、前記電流狭窄層が(Al<SB>x1</SB>Ga<SB>1-x1</SB>)<SB>y1</SB>In<SB>1-y1</SB>As<SB>z1</SB>P<SB>1-z1</SB> (0≦x1≦1,0≦y1≦1,0<z1≦1)であることを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (12件)：
5F073AA13
, 5F073AA45
, 5F073AA53
, 5F073BA04
, 5F073CA17
, 5F073CB02
, 5F073CB08
, 5F073DA05
, 5F073DA22
, 5F073EA05
, 5F073EA24
, 5F073EA28
審査官引用 (16件)
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半導体レーザ素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平6-317954
出願人：株式会社日立製作所
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半導体レーザ素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平3-196371
出願人：株式会社日立製作所
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特開昭55-011310
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