特許
J-GLOBAL ID：200903022632228359

支持基板上に薄い層を形成するための方法

発明者：
ハンス アルトマン

ハンス アルトマン について

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ヴィルヘルム フライ

ヴィルヘルム フライ について

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マンフレート メレンドルフ

マンフレート メレンドルフ について


出願人/特許権者：
ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング

ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング について


代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-321639
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150409
出願日： 1999年11月11日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：
【要約】【課題】 典型的には100nm〜10μmの厚さの薄い、特に単結晶性の層を、十分に任意の、ただし特に高耐熱性の支持基板上に廉価に形成する。【解決手段】 出発体の内部に、出発体のうちの残った残留体10から層15を分離する、埋設された犠牲層11を形成し、その後に前記層15に支持基板14を被着させ、引き続き犠牲層11を除去し、これにより支持基板14に結合された層15が、形成したい薄い層を成す。
請求項（抜粋）：
出発体(20)から支持基板(14)上に薄い層、特に薄膜ソーラセルの薄膜を形成するための方法において、出発体(20)の内部に、出発体(20)のうちの残った残留体(10)から層(15,16,17)を分離する、埋設された犠牲層(11)を形成し、その後に前記層(15,16,17)に支持基板(14)を被着させ、引き続き犠牲層(11)を除去し、これにより支持基板(14)に結合された層(15,16,17)が、形成したい薄い層を成すことを特徴とする、支持基板上に薄い層を形成するための方法。
IPC (3件)：
H01L 21/265 ,  H01L 21/20 ,  H01L 31/04
FI (3件)：
H01L 21/265 Q ,  H01L 21/20 ,  H01L 31/04 M
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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