特許
J-GLOBAL ID：200903023856898119

発光装置及びその作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

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村上 智史

村上 智史 について

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坂倉 真之

坂倉 真之 について

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高山 徹

高山 徹 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-324444
公開番号（公開出願番号）：特開2004-047411
出願日： 2002年11月07日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：
【課題】TFTと有機発光素子を組み合わせて構成される発光装置の信頼性を向上させることを目的とする。【解決手段】薄膜トランジスタと発光素子を備え、ゲート電極の上層側に第2無機絶縁体層、第2無機絶縁体層上に第1有機絶縁体層、第1有機絶縁体層上に第3無機絶縁体層、第3無機絶縁体層上に形成された陽極層、陽極層の端部と重なり35〜45度の傾斜角を有する第2有機絶縁体層、第2有機絶縁体層の表面及び側面に形成され陽極層上で開口部を有する第4無機絶縁体層、陽極層と第4無機絶縁体層に接して形成された発光体を含む有機化合物層、発光体を含む有機化合物層に接して形成された陰極層とを有し、第3無機絶縁体層及び第4無機絶縁体層は、珪素の窒化物又はアルミニウムの窒化物で形成されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体層とゲート絶縁膜及びゲート電極とを有する薄膜トランジスタと、陰極層及び陽極層の間に発光体を含む有機化合物層を有する発光素子を備え、 前記半導体層の下層側に第1無機絶縁体層と、前記ゲート電極の上層側に第2無機絶縁体層と、前記第2無機絶縁体層上に第1有機絶縁体層と、前記第1有機絶縁体層上に第3無機絶縁体層と、前記第3無機絶縁体層上に形成された陽極層と、前記陽極層の端部と重なり傾斜面を有する第2有機絶縁体層と、前記第2有機絶縁体層の表面及び側面に形成され前記陽極層上で開口部を有する第4無機絶縁体層と、前記陽極層と前記第4無機絶縁体層に接して形成された前記発光体を含む有機化合物層と、前記発光体を含む有機化合物層に接して形成された前記陰極層と、前記陰極層上に形成された第5無機絶縁体層とを有し、 前記発光体の発光は前記第3無機絶縁体層を通して視認できるものであり、前記第3無機絶縁体層及び第4無機絶縁体層は珪素の窒化物又はアルミニウムの窒化物であることを特徴とする発光装置。
IPC (5件)：
H05B33/22 ,  H01L29/786 ,  H05B33/04 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14
FI (6件)：
H05B33/22 Z ,  H05B33/04 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 619A
Fターム (61件)：
3K007AB11 ,  3K007AB12 ,  3K007AB13 ,  3K007BB00 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  3K007FA02 ,  3K007FA03 ,  5F110AA21 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL11 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP03 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ28
引用特許：
出願人引用 (13件)
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審査官引用 (13件)
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