不揮発性半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-112520
公開番号（公開出願番号）：特開2002-313962
出願日： 2001年04月11日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：

【要約】【課題】消去時のディスターブ不良の発生を抑制し得る不揮発性半導体記憶装置を得る。【解決手段】ビット線BLはマトリクスの列方向に延在して形成されている。チャネル領域CH上には、ゲート電極9が形成されている。不揮発性半導体記憶装置は、ゲート電極9とワード線とを互いに接続するためのプラグ10を備えている。各行のワード線は、2本のサブワード線WLをそれぞれ有している。サブワード線WL1a,WL1b及びサブワード線WL2a,2bはそれぞれ、同一の行に属するサブワード線である。サブワード線WL1aはプラグ1012,1014に接触しており、サブワード線WL1bはプラグ1011,1013に接触しており、サブワード線WL2aはプラグ1022,1024に接触しており、サブワード線WL2bはプラグ1021,1023に接触している。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板内にマトリクス状に形成された複数のメモリセルトランジスタと、前記マトリクスの列ごとに形成された複数のビット線と、前記マトリクスの行ごとに形成された複数のワード線とを備え、前記ワード線は、複数のサブワード線を有し、前記マトリクスの行方向に互いに隣接する前記メモリセルトランジスタの各ゲート電極は、異なる前記サブワード線に接続されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (8件)：

H01L 21/8247 , G11C 16/02 , G11C 16/06 , H01L 21/76 , H01L 27/10 481 , H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (7件)：

H01L 27/10 481 , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371 , H01L 21/76 L , G11C 17/00 633 Z , G11C 17/00 633 A , G11C 17/00 641

Fターム (67件)：

5B025AA02 , 5B025AC01 , 5B025AD02 , 5B025AD03 , 5B025AD16 , 5B025AE00 , 5B025AE05 , 5F032AA33 , 5F032AA35 , 5F032AA44 , 5F032BA01 , 5F032BA03 , 5F032CA17 , 5F032DA22 , 5F032DA33 , 5F083EP17 , 5F083EP18 , 5F083EP22 , 5F083EP65 , 5F083EP70 , 5F083ER02 , 5F083ER11 , 5F083GA02 , 5F083GA03 , 5F083GA12 , 5F083HA02 , 5F083JA04 , 5F083JA05 , 5F083JA33 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA53 , 5F083JA56 , 5F083KA02 , 5F083KA03 , 5F083KA05 , 5F083KA07 , 5F083KA08 , 5F083LA21 , 5F083MA06 , 5F083MA16 , 5F083MA20 , 5F083NA01 , 5F083NA02 , 5F083NA04 , 5F083PR14 , 5F083PR40 , 5F083PR42 , 5F083PR52 , 5F083ZA03 , 5F083ZA28 , 5F101BA45 , 5F101BA46 , 5F101BA54 , 5F101BB02 , 5F101BC11 , 5F101BD02 , 5F101BD30 , 5F101BD31 , 5F101BD35 , 5F101BD37 , 5F101BD38 , 5F101BE07 , 5F101BH21

引用特許：

審査官引用 (11件)

不揮発性記憶装置およびその駆動方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-272085 出願人：ローム株式会社
半導体不揮発性メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-010950 出願人：ソニー株式会社
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-122324 出願人：株式会社日立製作所

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