反射防止膜材料、及びこれを用いたパターン形成方法、基板

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：好宮幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-360202
公開番号（公開出願番号）：特開2007-163846
出願日： 2005年12月14日
公開日（公表日）： 2007年06月28日
要約：

【課題】フォトレジスト膜に対してエッチング選択比が高く、かつ無機性の緻密な膜を形成することにより上層のフォトレジスト膜が良好なパターンを形成でき、またウエットストリップが可能であり、さらに、保存安定性が高く、下層膜のエッチング時に優れたドライエッチング耐性を示して多層レジスト膜のレジスト中間層膜として好適な反射防止膜材料、及び、この反射防止膜をレジスト中間層膜として有する基板を提供する。【解決手段】リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト中間層膜として用いる反射防止膜材料であって、少なくとも、下記一般式(1)で表される繰り返し単位を有する高分子化合物をキレート化剤と反応させて得られる高分子化合物と、有機溶剤と、酸発生剤とを含有することを特徴とする反射防止膜材料。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト中間層膜として用いる反射防止膜材料であって、少なくとも、下記一般式(1)で表される繰り返し単位を有する高分子化合物をキレート化剤と反応させて得られる高分子化合物と、

IPC (4件)：

G03F 7/11 , H01L 21/027 , G03F 7/075 , G03F 7/26

FI (4件)：

G03F7/11 503 , H01L21/30 574 , G03F7/075 521 , G03F7/26 511

Fターム (21件)：

2H025AA09 , 2H025AA17 , 2H025AB16 , 2H025DA14 , 2H025DA34 , 2H025FA35 , 2H025FA41 , 2H025FA50 , 2H096AA25 , 2H096BA01 , 2H096BA09 , 2H096HA07 , 2H096HA17 , 2H096HA23 , 2H096JA04 , 2H096KA08 , 2H096KA15 , 2H096KA18 , 2H096KA21 , 2H096LA30 , 5F046PA07

引用特許：

出願人引用 (19件)

特公平7-69611号公報
パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-287666 出願人：三菱電機株式会社
反射防止ハードマスク組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-174636 出願人：シップレーカンパニーエルエルシー

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