特許
J-GLOBAL ID：200903031447809000

半導体装置の製造方法

発明者：
齊藤 豪

齊藤 豪 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体先端テクノロジーズ

株式会社半導体先端テクノロジーズ について


代理人 (3件)： 高田 守 ,  高橋 英樹 ,  大塚 環
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-161276
公開番号（公開出願番号）：特開2004-363402
出願日： 2003年06月05日
公開日（公表日）： 2004年12月24日
要約：
【課題】比較的低温で、低抵抗かつ接触の良好なコンタクトプラグを形成し、信頼性の高い半導体装置を得る。【解決手段】半導体装置の製造方法において、下地基板に、絶縁層を形成し、この絶縁層を貫通するコンタクトホールを形成する。このコンタクトホールの少なくとも内壁と、底部とに、Ti層を形成する。次に、Ti層を、Nラジカルを用いて窒化させて、Ti層上に、TiN層を形成する。その後、TiN層の形成されたコンタクトホール内部を埋め込む導電層を形成する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
下地基板に、絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、 前記絶縁層を貫通するコンタクトホールを形成するコンタクトホール形成工程と、 前記少なくとも前記コンタクトホール内壁と、前記コンタクトホール底部とに、Ti層又はTa層又はW層を形成する金属層形成工程と、 前記Ti層又はTa層又はW層を、Nラジカルを用いて窒化させて、TiN層又はTaN層又はWN層を形成する窒化層形成工程と、 前記TiN層又はTaN層又はWN層の形成された前記コンタクトホール内部を埋め込む導電層を形成する導電層形成工程と、 を、備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L21/28 ,  H01L21/768
FI (2件)：
H01L21/28 301S ,  H01L21/90 C
Fターム (42件)：
4M104AA01 ,  4M104BB21 ,  4M104CC01 ,  4M104DD02 ,  4M104DD07 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45 ,  4M104DD84 ,  4M104DD86 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH08 ,  4M104HH15 ,  5F033HH00 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK01 ,  5F033KK25 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP04 ,  5F033PP06 ,  5F033PP12 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ90 ,  5F033WW03 ,  5F033XX09 ,  5F033XX14 ,  5F033XX17
引用特許：
審査官引用 (12件)
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