特許
J-GLOBAL ID：200903032220272340

表面処理装置及び表面処理方法

発明者：
永関 一也

永関 一也 について

, 
大西 正

大西 正 について

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村上 幸一

村上 幸一 について

, 
本多 稔

本多 稔 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-322182
公開番号（公開出願番号）：特開2003-289068
出願日： 2002年11月06日
公開日（公表日）： 2003年10月10日
要約：
【要約】【課題】 被処理基板の全面に渡って均一に良好な処理を行うことのできる表面処理装置及び表面処理方法を提供する。【解決手段】 真空チャンバ1の内部には、被処理基板としての半導体ウエハWを支持する載置台2が設けられており、真空チャンバ1の天井部には、エレクトロンビームEBを発生させるためのエレクトロンビーム照射機構6が設けられている。載置台2は、昇降装置3によって上下動自在とされており、エレクトロンビーム照射機構6と半導体ウエハWとの距離を、所望の距離に設定可能に構成されている。
請求項（抜粋）：
内部を所定の真空雰囲気に設定可能とされた真空チャンバと、前記真空チャンバ内に設けられ、被処理基板が載置される載置台と、前記被処理基板に電子を照射する電子照射機構と、前記載置台と、前記電子照射機構との間隔を所望間隔に設定する駆動機構とを具備したことを特徴とする表面処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/31 ,  G03F 7/40 501
FI (2件)：
H01L 21/31 A ,  G03F 7/40 501
Fターム (15件)：
2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096HA03 ,  2H096JA04 ,  5F045AA14 ,  5F045AF03 ,  5F045BB02 ,  5F045BB16 ,  5F045DP02 ,  5F045DQ08 ,  5F045DQ10 ,  5F045EB08 ,  5F045EB09 ,  5F045EM10 ,  5F045HA19
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 基板の処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-030940   出願人：東京エレクトロン株式会社
審査官引用 (15件)
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