特許
J-GLOBAL ID：200903032452760961

半導体装置およびその製造方法

発明者：
堀江 正直

堀江 正直 について


出願人/特許権者：
NECエレクトロニクス株式会社

NECエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-256519
公開番号（公開出願番号）：特開2006-073843
出願日： 2004年09月03日
公開日（公表日）： 2006年03月16日
要約：
【課題】実装信頼性が向上された半導体装置を提供する。【解決手段】中央部1aの厚さと周辺部1bの厚さとを比較すると、周辺部1bの厚さの方が小さい。そのため、相対的に厚さの小さい周辺部1bのチップは、肉厚が小さいので撓みやすくなっている。したがって、たとえば温度降下により、実装基板2が収縮し、LSIチップ1と実装基板2とを接続する半田バンプ3において歪が生じても、周辺部1bは実装基板2の収縮に追随して収縮するため、周辺部1bにかかる応力は低減される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、複数のバンプと、半導体チップとがこの順に積層された半導体装置であって、 前記複数のバンプのそれぞれの上端面と前記半導体チップ素子形成面とが接触し、 前記半導体チップの周縁における厚さは、前記半導体チップの中央部における厚さよりも小さいことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/60 ,  H01L 23/12
FI (2件)：
H01L21/60 311S ,  H01L23/12 501B
Fターム (4件)：
5F044KK02 ,  5F044LL01 ,  5F044QQ00 ,  5F044RR16
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (17件)
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