特許
J-GLOBAL ID：200903032617514537

高耐久性水素分離膜及びその製造方法

発明者：
和久井 喜人

和久井 喜人 について

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アルフレド・パチェコ・タナカ

アルフレド・パチェコ・タナカ について

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鈴木 敏重

鈴木 敏重 について

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水上 富士夫

水上 富士夫 について


出願人/特許権者：
独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について


代理人 (1件)： 須藤 政彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-186335
公開番号（公開出願番号）：特開2009-022843
出願日： 2007年07月17日
公開日（公表日）： 2009年02月05日
要約：
【課題】高耐久性水素分離膜及びその製造方法を提供する。【解決手段】多孔質基材に金属緻密層を析出、充填させた構造を有する水素分離膜を製造する方法であって、多孔質基材に金属を充填させる際に、基材表層への保護多孔体層1の被覆、活性化処理、保護多孔体層1の除去、基材表層への保護多孔体層2の再被覆、金属の無電解めっき、の手順をとることにより表面から一定の深さに緻密層を有する細孔充填型分離膜を製造することを特徴とする水素分離膜の製造方法、及びその水素分離膜。【効果】多孔質材料内部に金属緻密層を充填させた構造を有する水素分離膜を提供することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
多孔質基材に金属緻密層を析出、充填させた構造を有する複合膜からなる水素分離膜を製造する方法であって、多孔質基材に金属を充填させる際に、(a)基材表層への第1保護多孔体層1の被覆、(b)金属種核を担持させる活性化処理、(c)保護多孔体層1の除去、(d)基材表層への第2保護多孔体層2の被覆、(e)金属の無電解めっき、の手順をとることにより、表面から一定の深さに金属緻密層を有する複合膜からなる細孔充填型分離膜を製造することを特徴とする水素分離膜の製造方法。
IPC (5件)：
B01D 71/02 ,  B01D 69/12 ,  C01B 3/56 ,  C23C 18/18 ,  C23C 18/44
FI (5件)：
B01D71/02 500 ,  B01D69/12 ,  C01B3/56 Z ,  C23C18/18 ,  C23C18/44
Fターム (52件)：
4D006GA41 ,  4D006HA21 ,  4D006MA02 ,  4D006MA03 ,  4D006MA09 ,  4D006MA10 ,  4D006MA22 ,  4D006MA24 ,  4D006MB04 ,  4D006MB16 ,  4D006MC02X ,  4D006MC03X ,  4D006NA39 ,  4D006NA45 ,  4D006NA46 ,  4D006NA50 ,  4D006NA64 ,  4D006PA01 ,  4D006PB66 ,  4G140FA02 ,  4G140FB09 ,  4G140FC01 ,  4G140FE01 ,  4K022AA02 ,  4K022AA04 ,  4K022AA37 ,  4K022AA43 ,  4K022BA01 ,  4K022BA03 ,  4K022BA06 ,  4K022BA08 ,  4K022BA09 ,  4K022BA14 ,  4K022BA18 ,  4K022BA22 ,  4K022BA28 ,  4K022BA31 ,  4K022BA32 ,  4K022CA06 ,  4K022CA07 ,  4K022CA11 ,  4K022CA18 ,  4K022CA20 ,  4K022CA21 ,  4K022CA23 ,  4K022DA01 ,  4K022DB03 ,  4K022DB04 ,  4K022DB05 ,  4K022DB07 ,  4K022DB26 ,  4K022DB28
引用特許：
出願人引用 (17件)
全件表示
審査官引用 (3件)

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