特許
J-GLOBAL ID:200903033288352888
パターン成形用型の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
栗原 浩之
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-304395
公開番号(公開出願番号):特開2004-110016
出願日: 2003年08月28日
公開日(公表日): 2004年04月08日
要約:
【課題】簡便かつ膜厚精度及び膜厚制御性が高く露光光源の選択幅が大きく、露光時間が短くて生産性が高く、パターン精度が高い。【解決手段】 一般式(1)で表されるエポキシ樹脂と感放射線性カチオン重合開始剤と前記エポキシ樹脂を溶解させる溶媒とを含む感放射線ネガ型レジスト組成物を基材に塗布する第1の工程と、この感放射線ネガ型レジスト組成物を塗布した基材を乾燥することによりレジスト膜を得る第2の工程と、得られたレジスト膜を活性エネルギー線により所望のパターンに合わせて選択的に露光する第3の工程と、露光後のレジスト膜を熱処理することによりコントラストを向上させる第4の工程と、熱処理後のレジスト膜を現像して未露光域のレジスト材料を溶解除去してパターン層を得る第5の工程と、このパターン層の少なくとも凹部に他の材料を設けて第2のパターン層を形成し、この第2のパターン層を分離してパターン成形用型とする第6の工程とを有する。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
一般式(1)で表されるエポキシ樹脂と感放射線性カチオン重合開始剤と前記エポキシ樹脂を溶解させる溶媒とを含む感放射線ネガ型レジスト組成物を基材に塗布する第1の工程と、この感放射線ネガ型レジスト組成物を塗布した基材を乾燥することによりレジスト膜を得る第2の工程と、得られたレジスト膜を活性エネルギー線により所望のパターンに合わせて選択的に露光する第3の工程と、露光後のレジスト膜を熱処理することによりコントラストを向上させる第4の工程と、熱処理後のレジスト膜を現像して未露光域のレジスト材料を溶解除去してパターン層を得る第5の工程と、このパターン層の少なくとも凹部に他の材料を設けて第2のパターン層を形成し、この第2のパターン層を分離してパターン成形用型とする第6の工程とを有することを特徴とするパターン成形用型の製造方法。
IPC (4件):
G03F7/40
, C25D1/10
, G03F7/029
, G03F7/038
FI (4件):
G03F7/40 521
, C25D1/10
, G03F7/029
, G03F7/038 503
Fターム (20件):
2H025AA00
, 2H025AA03
, 2H025AA17
, 2H025AB20
, 2H025AC01
, 2H025AD01
, 2H025BC74
, 2H025BD03
, 2H025CA48
, 2H025EA05
, 2H025FA12
, 2H025FA14
, 2H025FA35
, 2H096AA30
, 2H096BA01
, 2H096EA02
, 2H096EA07
, 2H096FA01
, 2H096GA01
, 2H096HA07
引用特許:
出願人引用 (1件)
審査官引用 (11件)
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