特許
J-GLOBAL ID：200903033353230078
電界放射型電子源の製造方法、電界放射型電子源、平面発光装置、ディスプレイ装置、及び固体真空デバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-365588
公開番号（公開出願番号）：特開2002-170487
出願日： 2000年11月30日
公開日（公表日）： 2002年06月14日
要約：
【要約】【課題】 電子を安定して放出できる低コストかつ作製プロセスの比較的容易な電界放射型電子源、及びその電界放射型電子源を提供する。【解決手段】 導電性基板1の表面側に高温に加熱した高融点金属に材料ガスを吹き付けることを利用した化学気相成長法により直接多孔質ポリシリコン層3を形成する工程と、酸化あるいは窒化された多孔質ポリシリコン層4を形成する工程と、酸化あるいは直接窒化された多孔質ポリシリコン層4上に金属薄膜5を形成する工程とにより電界放射型電子源6を製造する。
請求項（抜粋）：
高温に加熱した高融点金属に材料ガスを吹き付けることを利用した化学気相成長法を用いて直接多孔質ポリシリコン層を導電性基板上に形成する工程と、前記多孔質ポリシリコン層を酸化あるいは窒化する工程と、前記酸化あるいは窒化された多孔質ポリシリコン層上に金属薄膜よりなる電極を形成する工程と、を有する、ことを特徴とする電界放射型電子源の製造方法。
IPC (8件)：
H01J 9/02
, H01J 1/312
, H01J 1/304
, H01J 19/24
, H01J 21/10
, H01J 29/04
, H01J 31/12
, H01J 63/06
H01J 9/02 M
, H01J 9/02 B
, H01J 19/24
, H01J 21/10
, H01J 29/04
, H01J 31/12 C
, H01J 63/06
, H01J 1/30 M
, H01J 1/30 F
5C031DD17
, 5C036EE14
, 5C036EF01
, 5C036EF06
, 5C036EG12
, 5C036EH11
, 5C039MM03
