特許
J-GLOBAL ID：200903033379141936
リソグラフィー方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-007117
公開番号（公開出願番号）：特開平10-207072
出願日： 1997年01月20日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：
【要約】【課題】 化学増幅形のレジスト膜の露光部分に生じた酸が、基板表面から供給される酸の失活物質によって中和され、露光部分の一部が未露光状態になる。【解決手段】 表面がTiN膜11aで覆われた基板11上に、バリア膜Aを成膜する。このバリア膜A上に、化学増幅型のレジスト膜13を成膜する。レジスト膜13に対してパターン露光を行い、次に現像処理を行うことによって、基板11上にレジスト膜13からなるレジストパターン13bを形成する。TiN膜11aから酸を中和する失活物質が供給されても、バリア膜Aによってこの酸失活物質がレジスト膜13に達することが阻害される。したがって、レジスト膜13の露光部分に生じた酸が、酸失活物質によって中和されることはなく、露光部分において酸によるレジスト膜13の反応が進められる。
請求項（抜粋）：
基板上に、酸失活物質に対するバリア膜を成膜する工程と、前記バリア膜上に化学増幅型のレジスト膜を成膜する工程と、前記レジスト膜に対してパターン露光及び現像処理を行う工程とを具備してなることを特徴とするリソグラフィー方法。
IPC (4件)：
G03F 7/11 503
, G03F 7/004 503
, G03F 7/30
, H01L 21/027
G03F 7/11 503
, G03F 7/004 503 A
, G03F 7/30
, H01L 21/30 563
