特許
J-GLOBAL ID：200903035600534770

水素ドープシリカ粉及びその製造方法、並びにそれを用いた石英ガラスルツボ及びその製造方法

発明者：
大浜 康生

大浜 康生 について

, 
外川 貴之

外川 貴之 について


出願人/特許権者：
信越石英株式会社

信越石英株式会社 について


代理人 (1件)： 服部 平八
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-143642
公開番号（公開出願番号）：特開2003-335513
出願日： 2002年05月17日
公開日（公表日）： 2003年11月25日
要約：
【要約】【目的】石英ガラス片の剥離によるシリコン単結晶の有転移がなく、高歩留でシリコン単結晶が引上げることができる石英ガラスルツボの形成に有用な水素ドープシリカ粉及びその製造方法、並びに該水素ドープシリカ粉を用いて内表面層を形成したシリコン単結晶用石英ガラスルツボ及びその製造方法を提供すること。【解決手段】シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボの製造に使用するシリカ粉であって、該シリカ粉が合成シリカ粉、天然シリカ粉又はそれらの混合粉からなり、その水素濃度が1×1017〜5×1019 molecules/cm3の水素ドープシリカ粉及びその製造方法、並びにそれらのシリカ粉を用い内表面層を形成したシリコン単結晶用石英ガラスルツボ及びその製造方法。
請求項（抜粋）：
シリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボの製造に使用するシリカ粉であって、該シリカ粉が1×1017〜5×1019 molecules/cm3の水素分子をドープしたことを特徴とする水素ドープシリカ粉。
IPC (4件)：
C01B 33/12 ,  C03B 20/00 ,  C30B 15/10 ,  C30B 29/06 502
FI (4件)：
C01B 33/12 A ,  C03B 20/00 H ,  C30B 15/10 ,  C30B 29/06 502 B
Fターム (16件)：
4G014AH00 ,  4G072AA38 ,  4G072BB05 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH14 ,  4G072JJ01 ,  4G072MM01 ,  4G072RR07 ,  4G072UU21 ,  4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EG02 ,  4G077HA12 ,  4G077PD01
引用特許：
審査官引用 (11件)
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