磁気セル及び磁気メモリ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：吉武賢次 , 橘谷英俊 , 佐藤泰和 , 吉元弘 , 川崎康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-338099
公開番号（公開出願番号）：特開2005-109013
出願日： 2003年09月29日
公開日（公表日）： 2005年04月21日
要約：

【課題】素子倒壊がなく、MR特性の発現率が高くかつバラツキの少ない磁気セルおよびこの磁気セルを有する磁気メモリを得ることを可能にする。【解決手段】下部電極4と、下部電極上に形成された導電性ピラー6aと、導電性ピラー上に形成され少なくとも二つ以上の強磁性体層とそれら強磁性体層の間に設けられた中間層を有する磁気抵抗効果膜12と、磁気抵抗効果膜上に形成された上部電極20と、導電性ピラーの側面に直接あるいは絶縁層を介して少なくとも一つのメタルで形成されたサポート層12Aと、サポート層と下部電極との間に設けられた電流拡散防止層10と、を備え、導電性ピラーの高さをh、前記電流拡散防止層の厚さをt1、サポート層の厚さをt2、素子の短辺方向の長さをL(nm)とした場合に【数1】であることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

下部電極と、前記下部電極上に形成された導電性ピラーと、前記導電性ピラー上に形成され少なくとも二つ以上の強磁性体層とそれら強磁性体層の間に設けられた中間層を有する磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜上に形成された上部電極と、前記導電性ピラーの側面に直接あるいは絶縁層を介して少なくとも一つのメタルで形成されたサポート層と、前記サポート層と前記下部電極との間に設けられた電流拡散防止層と、を備え、前記導電性ピラーの高さをh、前記電流拡散防止層の厚さをt1、前記サポート層の厚さをt2、素子の短辺方向の長さをL(nm)とした場合に

IPC (2件)：

H01L27/105 , H01L43/08

FI (2件)：

H01L27/10 447 , H01L43/08 Z

Fターム (14件)：

5F083FZ10 , 5F083JA02 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA42 , 5F083JA60 , 5F083LA12 , 5F083LA16 , 5F083PR01 , 5F083PR04 , 5F083PR22 , 5F083PR40

引用特許：

審査官引用 (12件)

磁気抵抗効果を用いた不揮発固体メモリ素子およびメモリとその記録再生方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-270473 出願人：キヤノン株式会社
埋め込み配線の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-142721 出願人：松下電器産業株式会社
磁気記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-026931 出願人：三菱電機株式会社, 猪俣浩一郎

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