特許
J-GLOBAL ID：200903041665143280
半導体発光素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西村 教光 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-098194
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284735
出願日： 2000年03月31日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：
【要約】【課題】 半導体基板面に対し垂直方向の活性層位置の面内均一性の向上及び高精度の活性層位置制御を図る。【解決手段】 半導体基板1上にマーカー層2,第一クラッド層3,エッチストップ層4,第二クラッド層5,活性層6,第三クラッド層7及びキャップ層8を順次成長させる。キャップ層8の一部にエッチングマスク9を形成し、第三クラッド層7まで除去する。第三クラッド層7の露出した部分を除去する。活性層6の露出した部分を除去する。第二クラッド層5の露出した部分を除去する。エッチストップ層4の露出した部分を除去してメサ構造10を形成し、その両側に埋め込み層11,12を形成する。エッチングマスク9及びキャップ層8を除去する。第三クラッド層7をエピタキシャル成長させてコンタクト層13を形成して、半導体発光素子20が製造される。
請求項（抜粋）：
光の出射方向に垂直な断面が、第1の導電型の半導体基板(1)と、該半導体基板上の上部全体に延在して形成された、前記半導体基板と組成が異なる第1の導電型のマーカ層(2)と、該第1の導電型のマーカ層上に形成された前記第1の導電型の第一クラッド層と(3)、該第一クラッド層上の一部に形成され、前記第一クラッド層と組成が異なる第1の導電型のエッチストップ層(4)と、該エッチストップ層上に形成された活性層を含む前記第1の導電型のメサ構造(10)と、該メサ構造の両側に互いに該メサ構造から分離して該メサ構造に対してほぼ対称に形成された第1の導電型の第二埋め込み層(12)と、前記メサ構造の頂部及び前記一対の第二埋め込み層の上部に延在する、前記第1の導電型と異なる第2の導電型の第三クラッド層(7)と、前記メサ構造の両側及び前記一対の第二埋め込み層の下部に延在し、前記第一クラッド層と直接接する前記第2の導電型の第一埋め込み層(11)と、からなることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S 5/227
, H01L 33/00 B
5F041AA37
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA34
, 5F041CA39
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F073AA22
, 5F073AA46
, 5F073AA51
, 5F073AA53
, 5F073AA74
, 5F073CA12
, 5F073DA05
, 5F073DA23
, 5F073DA35
, 5F073FA15
, 5F073FA16
, 5F073FA22
