移植可能な圧力センサ

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：山本秀策 , 安村高明 , 森下夏樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-544021
公開番号（公開出願番号）：特表2007-516746
出願日： 2004年12月10日
公開日（公表日）： 2007年06月28日
要約：

移植可能な圧力センサおよびその作成方法と利用方法を提供する。本圧力センサの実施例は、低ドリフトセンサであるということを特徴とする。本センサは、様々な用途に使用できる。本発明が提供する移植可能な圧力センサ構造は、基板と、コンプライアント部材であって、第一および第二の対向する露出表面を有するように該基板上に設置されたコンプライアント部材と、該コンプライアント部材の表面と関連した、少なくとも1つのストレントランスデューサとを備え、該圧力センサ構造は低ドリフト圧力センサ構造である。

請求項（抜粋）：

移植可能な圧力センサ構造であって、基板と、コンプライアント部材であって、第一および第二の対向する露出表面を有するように該基板上に設置されたコンプライアント部材と、該コンプライアント部材の表面と関連した、少なくとも1つのストレントランスデューサとを備え、該圧力センサ構造が低ドリフト圧力センサ構造である、移植可能な圧力センサ構造。

IPC (2件)：

A61B 5/00 , A61N 1/37

FI (2件)：

A61B5/00 101M , A61N1/37

Fターム (19件)：

2F055AA05 , 2F055BB19 , 2F055CC02 , 2F055DD05 , 2F055EE13 , 2F055FF49 , 2F055GG11 , 4C053KK02 , 4C053KK03 , 4C117XA01 , 4C117XB01 , 4C117XC21 , 4C117XC26 , 4C117XC30 , 4C117XD24 , 4C117XD27 , 4C117XE15 , 4C117XE27 , 4C117XJ05

引用特許：

出願人引用 (10件)

米国特許第6,580,946号明細書
米国特許第4,003,379号明細書
米国特許第5,810,735号明細書

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審査官引用 (14件)

ピエゾ抵抗式半導体圧力センサ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-264858 出願人：株式会社フジクラ
半導体歪みセンサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-293990 出願人：株式会社デンソー
半導体圧力センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-336710 出願人：株式会社フジクラ

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