フォトマスク、パターン欠陥検査方法、及び半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田守 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-384127
公開番号（公開出願番号）：特開2002-182368
出願日： 2000年12月18日
公開日（公表日）： 2002年06月26日
要約：

【要約】【課題】フォトマスクに描画されたマスク寸法検査マークを利用して、パターン欠陥検査を精度良く実行する。【解決手段】フォトマスクは、製品パターンと、この製品パターンの周辺に配置されるマスク寸法検査マーク3とが描画されたものである。マスク寸法検査マーク3は、製品パターンの線幅と等しい線幅のラインパターン4と、このラインパターン4に隣接して配置されラインパターン4よりも幅が広い基準パターン5とを含んでいる。

請求項（抜粋）：

写真製版に用いられるフォトマスクであって、製品パターンと、前記製品パターンの周辺に配置され、前記製品パターンの線幅と等しい線幅のラインパターンと、前記ラインパターンに隣接して配置され前記ラインパターンよりも幅が広い基準パターンと、を含むマスク寸法検査マークと、を含むことを特徴とするフォトマスク。

IPC (6件)：

G03F 1/08 , G01B 21/00 , G01N 21/956 , G03F 7/20 521 , H01L 21/027 , H01L 21/66

FI (7件)：

G03F 1/08 M , G01B 21/00 D , G01N 21/956 A , G03F 7/20 521 , H01L 21/66 J , H01L 21/30 502 P , H01L 21/30 502 V

Fターム (17件)：

2F069AA03 , 2F069AA99 , 2F069BB40 , 2F069CC06 , 2F069HH30 , 2G051AA56 , 2G051AB02 , 2G051AB20 , 2G051AC21 , 2H095BA01 , 2H095BE06 , 2H095BE08 , 2H095BE09 , 4M106AA01 , 4M106AA09 , 4M106CA39 , 4M106DB20

引用特許：

審査官引用 (14件)

露光用基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-176967 出願人：東芝マイクロエレクトロニクス株式会社, 株式会社東芝
パターン測定方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-269919 出願人：株式会社東芝
特開平2-116848

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