特許
J-GLOBAL ID：200903044225323103
基板の加工装置および加工方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
木村 満
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-257200
公開番号（公開出願番号）：特開2004-090534
出願日： 2002年09月02日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：
【課題】高い信頼性で、表面に微細構造を有する基板を加工可能な、基板の加工装置および加工方法を提供する。【解決手段】SF6とO2とを含むプロセスガスを容器17内に供給した状態で、容器17の外部に配置したレーザ光照射装置34を用い、半導体基板21にレーザ光を照射する。半導体基板21のレーザ光照射部分では、シリコンが励起され、プロセスガスと反応してガス状物質に転換される。ステージ18上の半導体基板21は、冷媒流路24にチラーを通流させることにより所定温度に保持される。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
チャンバと、
前記チャンバ内に設けられ、基板が載置されるステージと、
前記基板の材料と反応して、前記材料をガス状の物質に転換可能なプロセスガスを前記チャンバ内に供給するプロセスガス供給手段と、
照射部分の前記材料が励起し、前記プロセスガスと反応して前記ガス状物質に転換されるように、前記基板に所定波長のレーザ光を照射するレーザ光照射手段と、
を備える、ことを特徴とする基板の加工装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
B28D5/00 Z
, B81C1/00
, H01L21/78 B
3C069AA07
, 3C069BA08
, 3C069BB01
, 3C069BB03
, 3C069BB04
, 3C069BC01
, 3C069CA05
, 3C069CB01
, 3C069DA06
, 3C069EA02
, 3C069EA05
