特許
J-GLOBAL ID：200903045189306325
微細構造の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山川 政樹
, 黒川 弘朗
, 山川 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-246438
公開番号（公開出願番号）：特開2006-062016
出願日： 2004年08月26日
公開日（公表日）： 2006年03月09日
要約：
【課題】微細な構造体の変位を可能とする微細な空間を備えた微細な構造体を、空間内が清浄な状態で形成できるようにする。【解決手段】レジストパターンにより第2開口部109がふさがれた状態とし、第1開口部108を介したドライエッチングにより、接点電極106周辺の犠牲層105を除去し、下部電極103上の一部に空間110が形成された状態とする。ついで、基板が所定の洗浄液中に浸漬された状態とし、洗浄液が空間110の内部に作用する状態とする。洗浄液としては、例えばフッ化水素水溶液を用いることができる。この洗浄処理により、空間110内に露出している各電極の表面に付着した重合膜や微粒子状の残渣が除去できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板の上の所定箇所に支持部材が固定され、かつこの支持部材の間の可動空間内において前記支持部材より所定距離離間して第1電極が固定されて形成された状態とする第1工程と、
前記可動空間内を充填して前記第1電極を覆うように前記半導体基板上に犠牲層が形成された状態とする第2工程と、
前記第1電極の上部にあたる前記犠牲層の上に第2電極が形成された状態とする第3工程と、
前記可動空間の領域内に複数の開口部を備えた板状の上部構造体が前記支持部材の上に形成された状態とする第4工程と、
前記前記第1電極の形成領域と第2電極の形成領域とが重なる領域を含み、前記支持部材より所定距離離間した第1領域内に配置された前記開口部を介して一部の前記犠牲層を除去し、一部の前記第1電極及び一部の前記第2電極が露出した空間が形成され、この空間と前記支持部材との間に一部の前記犠牲層が残る状態とする第5工程と、
前記第1領域内に配置された前記開口部を介して前記空間内に所定の洗浄液を供給し、前記洗浄液により前記空間内に露出する部分を洗浄処理する第6工程と、
前記洗浄液を乾燥した後、ドライエッチングにより、前記開口部を介して残っている前記犠牲層を除去する第7工程と
を少なくとも備えることを特徴とする微細構造の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (2件)
審査官引用 (11件)
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