特許
J-GLOBAL ID：200903048665446270

炭化珪素単結晶の製造方法

発明者：
原 一都

原 一都 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (3件)： 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-159553
公開番号（公開出願番号）：特開2007-326743
出願日： 2006年06月08日
公開日（公表日）： 2007年12月20日
要約：
【課題】4H型SiC等の所望の結晶多形である単結晶を成長させることができる炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】反応容器内に炭化珪素からなる種結晶を配置し、反応容器内に導入されたSi成分およびC成分を含有する原料ガスを用いて、種結晶表面に炭化珪素からなる単結晶を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法において、t7〜t8の単結晶の成長初期過程では、投入原料中のSi/C比を約2.2に設定し、t8〜t9の単結晶の高速成長過程では、投入原料中のSi/C比を約1に設定することで、単結晶の成長初期過程では、単結晶の高速成長過程よりも、投入原料中のSi/C比を高くする。これにより、SiC種結晶と同一多形のSiC単結晶を安定して成長させることができる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
反応容器(6)内に炭化珪素からなる種結晶(7)を配置し、前記反応容器(6)内に導入されたSi成分およびC成分を含有する原料ガスを用いて、前記種結晶(7)の表面に炭化珪素からなる単結晶を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法において、 前記種結晶の表面で前記単結晶が成長を開始する成長開始時期と、前記成長開始時期よりも後の前記単結晶の成長途中である成長途中時期とのうち、前記成長開始時期では、前記成長途中時期よりも、前記原料ガス中におけるSi成分のC成分に対する原子比を高く設定することで、前記種結晶と同一の結晶多形である前記単結晶を製造することを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
C30B 29/36 ,  C30B 25/14
FI (2件)：
C30B29/36 A ,  C30B25/14
Fターム (18件)：
4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077DB09 ,  4G077DB12 ,  4G077EC09 ,  4G077ED02 ,  4G077EE03 ,  4G077EG17 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA01 ,  4G077TB04 ,  4G077TC01 ,  4G077TC06 ,  4G077TC17 ,  4G077TD03 ,  4G077TK06 ,  4G077TK10
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (6件)
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