特許
J-GLOBAL ID：200903054573590447
炉内のガスフローパターン認識方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
荒船 良男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-129620
公開番号（公開出願番号）：特開2002-324801
出願日： 2001年04月26日
公開日（公表日）： 2002年11月08日
要約：
【要約】【課題】 熱処理炉や反応炉といった炉内でのガスフローを容易に把握することを可能とする炉内のガスフローパターン認識方法を提供する。【解決手段】 熱処理炉7内に配置したシリコンウェーハ2に対し、水素雰囲気中で熱処理を施し、この熱処理後のシリコンウェーハ2の表面近傍におけるキャリア濃度の面内分布を、SPV法により測定する。この測定した面内分布(図3)に基づき、熱処理炉7内のガスフローパターンを認識する。この認識結果に基づき、熱処理7内のガスフローパターンを制御する。
請求項（抜粋）：
半導体単結晶基板を炉内に配置し、所定条件で熱処理を施し、この熱処理後の半導体単結晶基板のキャリア濃度の面内分布を、SPV法により測定し、この測定した面内分布に基づき、炉内のガスフローパターンを認識することを特徴とする炉内のガスフローパターン認識方法。
IPC (2件)：
H01L 21/324
, H01L 21/205
H01L 21/324 R
, H01L 21/324 T
, H01L 21/205
5F045DP15
, 5F045DQ05
, 5F045EC02
, 5F045EE20
, 5F045EK06
, 5F045GB11
, 5F045HA06
