特許
J-GLOBAL ID:200903054782060340 半導体レーザの製造方法
発明者: 出願人/特許権者: 代理人 (1件):
畑 泰之
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-340446
公開番号(公開出願番号):特開2001-156399
出願日: 1999年11月30日
公開日(公表日): 2001年06月08日
要約:
【要約】【課題】 III族原料種の表面マイグレーションを促進することにより、DH構造部の断面形状を平坦化することで、n型多重量子井戸構造を含むダブルへテロ構造部の品質を向上させた半導体レーザの製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板上に2本のストライプ状の成長マスクを形成し、この成長マスクに挟まれた領域に、III-V族化合物半導体からなるダブルへテロ構造の光導波路を有機金属気相成長法を用いて、選択的に成長させる半導体レーザの製造方法において、前記V族の圧力を、13.3Pa乃至400Paとしたことを特徴とするものである。
請求項(抜粋):
半導体基板上に2本のストライプ状の成長マスクを形成し、この成長マスクに挟まれた領域に、III-V族化合物半導体からなるダブルへテロ構造の光導波路を有機金属気相成長法を用いて、選択的に成長させる半導体レーザの製造方法において、前記V族の圧力を、13.3Pa乃至400Paとしたことを特徴とする半導体レーザの製造方法。
Fターム (6件):
5F073AA22
, 5F073AA45
, 5F073AA74
, 5F073CA12
, 5F073DA05
, 5F073EA29
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