特許
J-GLOBAL ID：200903054949830614

面発光型半導体レーザ

発明者：
前田 修

前田 修 について

, 
汐先 政貴

汐先 政貴 について

, 
荒木田 孝博

荒木田 孝博 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (4件)： 藤島 洋一郎 ,  三反崎 泰司 ,  長谷部 政男 ,  田名網 孝昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-305349
公開番号（公開出願番号）：特開2009-188382
出願日： 2008年11月28日
公開日（公表日）： 2009年08月20日
要約：
【課題】高次横モードの発振を抑制しつつ、基本横モードを高出力化することの可能な面発光型半導体レーザを提供する。【解決手段】基板10上に、下部DBR層11、下部スペーサ層12、活性層13、上部スペーサ層14、電流狭窄層15、上部DBR層16およびコンタクト層17をこの順に積層した積層構造を備え、この積層構造の上部がメサ部18を構成する。メサ部18上面に形成された横モード調整部23において、2回回転対称または4回回転対称の4つのピークPを含む1次モードが生じる領域との対向領域のうち、電流注入領域15Bの中心点C1との対向領域を除く領域を間にして対向する2つのピークPに対応する特定領域23Dでの反射率R2が、電流注入領域15Bの中心点C1との対向領域を含む領域での反射率R1よりも低くなっている。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
活性層および電流狭窄層を有する半導体層と、 前記半導体層上に形成された横モード調整部と を備え、 前記電流狭窄層は、電流注入領域および電流狭窄領域を有し、 前記横モード調整部は、高反射領域および低反射領域を有し、 前記高反射領域は、前記電流注入領域の中心点との第1対向領域を含む領域に形成され、 前記高反射領域の中心点は、前記第1対向領域とは異なる領域に位置し、 前記低反射領域は、前記電流注入領域との対向領域のうち前記高反射領域の未形成領域に形成されている面発光型半導体レーザ。
IPC (2件)：
H01S 5/183 ,  H01S 5/323
FI (2件)：
H01S5/183 ,  H01S5/323
Fターム (13件)：
5F173AC03 ,  5F173AC13 ,  5F173AC35 ,  5F173AC42 ,  5F173AC52 ,  5F173AF92 ,  5F173AG20 ,  5F173AH02 ,  5F173AP05 ,  5F173AP33 ,  5F173AP67 ,  5F173AR14 ,  5F173AR33
引用特許：
審査官引用 (13件)
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