特許
J-GLOBAL ID：200903055646787860
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-259700
公開番号（公開出願番号）：特開2009-088440
出願日： 2007年10月03日
公開日（公表日）： 2009年04月23日
要約：
【課題】SiC基板中のC(炭素)に起因するゲート絶縁膜の絶縁耐圧や信頼性の低下、及びゲート絶縁膜中の電荷量の増大を抑制し、更に、ゲート絶縁膜/SiC基板界面における界面準位密度の増大を抑制する。【解決手段】SiCウェハを用いて形成された縦型のDiMOSFETでは、SiC基板10の表面内におけるチャネル領域上にSi層15が形成され、このSi層15上にゲート絶縁膜16が形成されて、Si層15とゲート絶縁膜16の積層構造が形成されている。更に、ゲート絶縁膜16上にゲート電極17が形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
表面内にチャネル領域を有する炭化珪素基板と、
前記チャネル領域上に形成されたシリコン層と、
前記シリコン層上に積層されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/12
, H01L 29/78
, H01L 21/336
H01L29/78 652T
, H01L29/78 652K
, H01L29/78 652E
, H01L29/78 658F
出願人引用 (3件)
審査官引用 (10件)
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