特許
J-GLOBAL ID：200903058516897493

ナノインデントエッジとアンチドット触媒配列を利用したカーボンナノチューブの形成法

発明者：
安井 孝成

安井 孝成 について


出願人/特許権者：
独立行政法人科学技術振興機構

独立行政法人科学技術振興機構 について


代理人 (1件)： 西 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-108556
公開番号（公開出願番号）：特開2005-288636
出願日： 2004年03月31日
公開日（公表日）： 2005年10月20日
要約：
【課題】 CNTは、ナノエレクトロニクス素子への応用が期待されているが、取り扱いが非常に困難であり、特に電子デバイスへの応用に際して必要不可欠な任意の位置に規則的に、しかも希望のサイズのCNTを垂直又は水平方向に配列させることが極めて困難である。【解決手段】基板にレジスト膜を形成し、基板表面とレジスト膜のうち少なくともレジスト膜に角錐状圧子で圧痕孔を形成し、レジスト膜と圧痕孔を覆う触媒金属薄膜を形成し、前記のレジスト膜と触媒金属薄膜を剥離し、さらに、前記の圧痕孔内に残存した触媒金属微粒子上にCVD法でカーボンナノチューブ を成長させることを特徴とするカーボンナノチューブの形成法。 【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
基板にレジスト膜を形成し、基板表面とレジスト膜のうち少なくともレジスト膜に角錐状 圧子で圧痕孔を形成し、レジスト膜と圧痕孔を覆う触媒金属薄膜を形成し、前記のレジス ト膜と触媒金属薄膜を剥離し、さらに、前記の圧痕孔内に残存した触媒金属微粒子上にC VD法でカーボンナノチューブ を成長させることを特徴とするカーボンナノチューブの 形成法。
IPC (2件)：
B82B3/00 ,  C01B31/02
FI (2件)：
B82B3/00 ,  C01B31/02 101F
Fターム (10件)：
4G146AA11 ,  4G146AD28 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BC03 ,  4G146BC09 ,  4G146BC25 ,  4G146BC33B ,  4G146BC42 ,  4G146BC43
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (6件)
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引用文献：
審査官引用 (2件)

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