特許
J-GLOBAL ID：200903058927100472

欠陥観察方法及びその装置

発明者：
宇都 幸雄

宇都 幸雄 について

, 
前田 俊二

前田 俊二 について


出願人/特許権者：
株式会社日立ハイテクノロジーズ

株式会社日立ハイテクノロジーズ について


代理人 (1件)： 井上 学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-261563
公開番号（公開出願番号）：特開2007-071803
出願日： 2005年09月09日
公開日（公表日）： 2007年03月22日
要約：
【課題】 半導体デバイス等の基板上に回路パターンを形成するデバイス製造工程において、製造工程中に発生する微小な異物やパターン欠陥を、高速で高精度に検査できる装置および方法を提供すること。【解決手段】 表面に透明膜が形成された被検査対象物に対し、高NA対物レンズを真空チャンバ内に設置し、対物レンズ内に照明光路を設けたことにより、暗視野照明を可能にし被検査対象物表面の異物または欠陥の反射散乱光を高感度に検出できるようにした。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
電子顕微鏡を用いて試料表面の欠陥を検査する方法であって、予め他の検査装置を用いて検出して得られた欠陥の位置情報に基づいて試料表面の観察すべき欠陥を検出光学系の視野内に位置させ、該視野内に位置させた欠陥を入射角度が異なる複数の方向から照明して前記試料で反射散乱された光を検出し、該反射散乱された光を検出して得た信号を処理して前記試料の表面にある欠陥と表面下にある欠陥とを識別し、前記試料の表面にあると識別した欠陥を電子顕微鏡の観察視野内に位置決めし、該電子顕微鏡で前記観察視野内に位置決めした欠陥を観察することを特徴とする欠陥観察方法。
IPC (2件)：
G01N 23/225 ,  G01N 21/956
FI (2件)：
G01N23/225 ,  G01N21/956 A
Fターム (65件)：
2G001AA01 ,  2G001AA07 ,  2G001AA10 ,  2G001AA20 ,  2G001BA05 ,  2G001BA07 ,  2G001BA14 ,  2G001BA15 ,  2G001BA30 ,  2G001CA01 ,  2G001CA03 ,  2G001CA07 ,  2G001CA10 ,  2G001DA01 ,  2G001DA03 ,  2G001DA06 ,  2G001DA08 ,  2G001DA09 ,  2G001EA03 ,  2G001EA07 ,  2G001FA01 ,  2G001FA06 ,  2G001GA04 ,  2G001GA05 ,  2G001GA06 ,  2G001GA07 ,  2G001GA08 ,  2G001GA13 ,  2G001HA13 ,  2G001JA01 ,  2G001JA02 ,  2G001JA04 ,  2G001JA11 ,  2G001JA12 ,  2G001JA13 ,  2G001JA16 ,  2G001KA03 ,  2G001LA11 ,  2G001MA05 ,  2G001PA01 ,  2G001PA07 ,  2G001PA11 ,  2G001PA16 ,  2G001QA02 ,  2G001QA03 ,  2G051AA51 ,  2G051AB02 ,  2G051AB06 ,  2G051AB07 ,  2G051BA10 ,  2G051BA11 ,  2G051BA20 ,  2G051BB05 ,  2G051BB11 ,  2G051CA03 ,  2G051CA04 ,  2G051CB01 ,  2G051CC07 ,  2G051DA06 ,  2G051EA08 ,  2G051EA11 ,  2G051EA14 ,  2G051EA21 ,  2G051EB01 ,  2G051ED07
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (12件)
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