特許
J-GLOBAL ID：200903059827581569

酸化膜の形成方法

発明者：
佐藤 秀和

佐藤 秀和 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-239988
公開番号（公開出願番号）：特開2000-068266
出願日： 1998年08月26日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：
【要約】【課題】優れた耐圧特性を有する酸化膜を形成し得る酸化膜の形成方法を提供する。【解決手段】酸化膜の形成方法は、(イ)酸化炉内に半導体層を有する基体を搬入した後、酸化炉内に湿式ガスを導入して半導体層の表面に酸化膜を形成する工程と、(ロ)酸化炉への湿式ガスの導入を中止し、酸化炉内に不活性ガスを導入して酸化炉の雰囲気を不活性ガス雰囲気とした後、酸化炉から基体を搬出する工程から成り、酸化炉内に基体を搬入する前から半導体層の表面に酸化膜を形成する前までの酸化炉の雰囲気を、酸素ガスを0.67容積%乃至20容積%含有する不活性ガス雰囲気とする。
請求項（抜粋）：
(イ)酸化炉内に半導体層を有する基体を搬入した後、酸化炉内に湿式ガスを導入して半導体層の表面に酸化膜を形成する工程と、(ロ)酸化炉への湿式ガスの導入を中止し、酸化炉内に不活性ガスを導入して酸化炉の雰囲気を不活性ガス雰囲気とした後、酸化炉から基体を搬出する工程、から成り、酸化炉内に基体を搬入する前から半導体層の表面に酸化膜を形成する前までの酸化炉の雰囲気を、酸素ガスを0.67容積%乃至20容積%含有する不活性ガス雰囲気とすることを特徴とする酸化膜の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/316 ,  H01L 21/31
FI (2件)：
H01L 21/316 S ,  H01L 21/31 E
Fターム (32件)：
5F045AA20 ,  5F045AB32 ,  5F045AC11 ,  5F045AC13 ,  5F045AC15 ,  5F045AC18 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045BB02 ,  5F045BB16 ,  5F045CA05 ,  5F045DP04 ,  5F045DP19 ,  5F045EB08 ,  5F045EB13 ,  5F045EK06 ,  5F045EN04 ,  5F045EN05 ,  5F045HA04 ,  5F045HA16 ,  5F058BA06 ,  5F058BA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BE02 ,  5F058BF37 ,  5F058BF55 ,  5F058BF63 ,  5F058BF68 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ01
引用特許：
審査官引用 (15件)
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