特許
J-GLOBAL ID：200903061811304519

半導体装置の製造方法

発明者：
大塚 文雄

大塚 文雄 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体先端テクノロジーズ

株式会社半導体先端テクノロジーズ について


代理人 (3件)： 高田 守 ,  高橋 英樹 ,  大塚 環
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-165719
公開番号（公開出願番号）：特開2005-005406
出願日： 2003年06月10日
公開日（公表日）： 2005年01月06日
要約：
【課題】LOP用途のトランジスタなど、ゲート長が短く、浅接合の必要なトランジスタにおいて、拡散層の浅接合化と、活性化を同時に実現する。【解決手段】半導体装置の製造方法において、まず、基板に、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを形成する。次に、ゲート電極をマスクとして、基板表面を非晶質化するため、GeイオンあるいはSiイオン等を注入する。その後、ゲート電極をマスクとして、基板の非晶質化した部分に、拡散層を形成するためのBイオン等の不純物を注入する。更に、この拡散層に、可視光を短時間照射する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板に、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを形成するゲート形成工程と、 前記ゲート電極をマスクとして、前記基板に、前記基板表面を非晶質化するためのイオンを注入し、非晶質層を形成する非晶質化工程と、 前記ゲート電極をマスクとして、前記基板に、拡散層を形成するための不純物を注入する不純物注入工程と、 可視光を短時間照射する可視光照射工程と、 を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (6件)：
H01L29/78 ,  H01L21/265 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092
FI (6件)：
H01L29/78 301S ,  H01L27/08 321C ,  H01L27/08 321E ,  H01L27/08 102B ,  H01L27/08 102C ,  H01L21/265 F
Fターム (80件)：
5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB04 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB13 ,  5F048BB15 ,  5F048BB16 ,  5F048BC06 ,  5F048BC19 ,  5F048BD04 ,  5F048BD10 ,  5F048BE03 ,  5F048BF06 ,  5F048BF16 ,  5F048BG01 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F140AA02 ,  5F140AA13 ,  5F140AA18 ,  5F140AA28 ,  5F140AA39 ,  5F140AB03 ,  5F140AC01 ,  5F140AC31 ,  5F140AC32 ,  5F140BA01 ,  5F140BC06 ,  5F140BD05 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BE07 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF10 ,  5F140BF14 ,  5F140BF21 ,  5F140BF28 ,  5F140BG10 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG28 ,  5F140BG34 ,  5F140BG37 ,  5F140BG44 ,  5F140BG45 ,  5F140BG46 ,  5F140BG50 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH14 ,  5F140BH22 ,  5F140BH36 ,  5F140BH38 ,  5F140BH42 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK02 ,  5F140BK10 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK25 ,  5F140BK29 ,  5F140BK34 ,  5F140BK39 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CC01 ,  5F140CC03 ,  5F140CC08 ,  5F140CE07 ,  5F140CF04
引用特許：
審査官引用 (13件)
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