特許
J-GLOBAL ID：200903061862448833
半導体プロセス用排ガス処理方法及び処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-231911
公開番号（公開出願番号）：特開2007-044628
出願日： 2005年08月10日
公開日（公表日）： 2007年02月22日
要約：
【課題】プラズマ処理法において、できる限りリアクタ管の腐食及びリアクタ管内の温度を低下させることが可能かつ高効率に処理が可能な、半導体製造装置からの排ガス処理方法及び装置を提供する。【解決手段】半導体製造工程における排ガスを、プラズマを発生する高周波放電管に導入し、該高周波放電管用電極に高周波電力を印加することにより前記容器内にプラズマを発生させて半導体プ口セス用排ガスを分解処理する半導体プ口セス用排ガス処理方法において、上記高周波電力をパルス発生器によってパルス変調することを特徴とする半導体プ口セス用排ガス処理方法及び処理装置を提供する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体製造工程における排ガスを、プラズマを発生する高周波放電管に導入し、高周波放電管に備えた電極に高周波電力を印加することにより前記放電管内にプラズマを発生させて半導体プ口セス用排ガスを分解処理する半導体プ口セス用排ガス処理方法において、上記高周波電力をパルス発生器によってパルス変調することを特徴とする半導体プ口セス用排ガス処理方法。
IPC (3件)：
B01D 53/68
, B01J 19/08
, H01L 21/306
B01D53/34 134C
, B01J19/08 E
, H01L21/302 101G
4D002AA22
, 4D002BA05
, 4D002BA07
, 4D002DA70
, 4D002GA01
, 4D002GB20
, 4G075AA03
, 4G075AA37
, 4G075AA53
, 4G075BA01
, 4G075BA05
, 4G075BA06
, 4G075CA47
, 4G075DA01
, 4G075DA03
, 4G075DA18
, 4G075EA02
, 4G075EB42
, 5F004AA16
, 5F004BA20
, 5F004BB11
, 5F004BB32
, 5F004BC02
, 5F004BC08
, 5F004BD07
, 5F004CB03
, 5F004DA01
出願人引用 (2件)
審査官引用 (13件)
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