炭化珪素半導体装置の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：吉竹英俊 , 有田貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-212141
公開番号（公開出願番号）：特開2009-049099
出願日： 2007年08月16日
公開日（公表日）： 2009年03月05日
要約：

【課題】炭化珪素半導体装置に於いて、MIS界面特性を劣化させないゲート絶縁膜のPDA手法(熱処理方法)を提供する。【解決手段】炭化珪素半導体基板2上に、熱酸化法により、0.5nm〜2nmの範囲内の厚みを有する酸化珪素5を形成する。更に、酸化珪素5の上に堆積法によって酸化膜6を形成して、ゲート絶縁膜としての積層酸化膜7を得る。その上で、酸化膜6の堆積温度よりも高温で、且つ、酸素濃度が0.05Pa以上で5Pa以下の範囲内に制御された減圧の酸素雰囲気下で、積層酸化膜7に対して熱処理を行うことで、ゲート絶縁膜を形成する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

炭化珪素基板上に堆積法によって酸化膜を形成し、前記酸化膜の堆積後に、その堆積温度よりも高温で、且つ、大気圧よりも低い減圧の酸素雰囲気下で、前記酸化膜に対して熱処理を行うことにより、ゲート絶縁膜を形成することを特徴とする、炭化珪素半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 29/12 , H01L 21/336

FI (5件)：

H01L29/78 301B , H01L29/78 652T , H01L29/78 658F , H01L29/78 652K , H01L29/78 301G

Fターム (26件)：

5F140AA19 , 5F140BA02 , 5F140BA16 , 5F140BA20 , 5F140BC12 , 5F140BD01 , 5F140BD05 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BE02 , 5F140BE03 , 5F140BE07 , 5F140BE10 , 5F140BE17 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF07 , 5F140BH21 , 5F140BJ01 , 5F140BJ05 , 5F140BK05 , 5F140BK13 , 5F140BK20 , 5F140BK34

引用特許：

出願人引用 (2件)

炭化けい素半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-082087 出願人：富士電機株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-207607 出願人：株式会社半導体先端テクノロジーズ

審査官引用 (7件)

SiC-MISFET及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-403296 出願人：松下電器産業株式会社
半導体素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-023755 出願人：松下電器産業株式会社
半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-031093 出願人：国立大学法人京都大学

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