特許
J-GLOBAL ID：200903063021013045
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 興作 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-321052
公開番号（公開出願番号）：特開2002-232001
出願日： 2001年10月18日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：
【要約】【課題】転位密度の大小に関係なく、白色LEDとして好適に使用することが可能な新規な半導体発光素子を提供する。【解決手段】半導体発光素子20を構成する下地層2を、X線ロッキングカーブにおける半値幅が90秒以下の高結晶AlN層から構成し、第1のクラッド層4をn-AlGaNから構成する。また、発光層5をi-GaNからなる基層17と、この基層中に、互いに孤立するようにして形成されたi-AlGaInNからなる島状結晶12-1〜12-5とから構成する。
請求項（抜粋）：
基板と、この基板上にAlを含む、X線ロッキングカーブにおける半値幅が90秒以下の第1の窒化物半導体からなる下地層と、この下地層上に形成されたAl、Ga、及びInの少なくとも一つを含む第2の窒化物半導体からなる第1の導電層と、この第1の導電層上に形成されたAl、Ga、及びInの少なくとも一つを含む第3の窒化物半導体からなる第1のクラッド層と、この第1のクラッド層上に形成された、Al、Ga、及びInの少なくとも一つを含む第4の窒化物半導体からなる基層中に、Al、Ga、及びInの少なくとも一つを含み、前記第3の窒化物半導体よりも面格子定数の大きい第5の窒化物半導体からなる、それぞれが孤立した複数の島状結晶を含んでなる発光層と、この発光層上に形成されたAl、Ga、及びInの少なくとも一つを含む第6の窒化物半導体からなる第2のクラッド層と、この第2のクラッド層上に形成されたAl、Ga、及びInの少なくとも一つを含む第7の窒化物半導体からなる第2の導電層とを具え、前記第1のクラッド層を構成する前記第3の窒化物半導体のバンドギャップ、前記基層を構成する前記第4の窒化物半導体のバンドギャップ、及び前記島状結晶を構成する前記第5の窒化物半導体のバンドギャップが、この順に大きいことを特徴とする、半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 33/00 C
, H01L 33/00 F
, H01L 21/205
5F041AA03
, 5F041AA40
, 5F041CA05
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041CA82
, 5F041CA92
, 5F041CB28
, 5F041CB29
, 5F045AA04
, 5F045AB09
, 5F045AC08
, 5F045AC12
, 5F045AC15
, 5F045AD16
