特許
J-GLOBAL ID：200903063244790728

スピン注入磁気ランダムアクセスメモリ

発明者：
井口 智明

井口 智明 について

, 
斉藤 好昭

斉藤 好昭 について

, 
杉山 英行

杉山 英行 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-315459
公開番号（公開出願番号）：特開2007-123637
出願日： 2005年10月28日
公開日（公表日）： 2007年05月17日
要約：
【課題】スピン注入磁化反転を低電流で行う。【解決手段】本発明の例に関わるスピン注入磁気ランダムアクセスメモリは、スピン注入電流Isにより発生させたスピン偏極電子を用いて磁気抵抗効果素子MTJに対する書き込みを実行し、書き込み時に、磁気抵抗効果素子MTJに対して、磁気抵抗効果素子MTJの磁化困難軸方向の磁場を印加する手段AL,D1,S1を備える。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
スピン注入電流により発生させたスピン偏極電子を用いて磁気抵抗効果素子に対する書き込みを実行するスピン注入磁気ランダムアクセスメモリにおいて、前記書き込み時に、前記磁気抵抗効果素子に対して、前記磁気抵抗効果素子の磁化困難軸方向の磁場を印加する手段を具備することを特徴とするスピン注入磁気ランダムアクセスメモリ。
IPC (5件)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08 ,  G11C 11/15 ,  H01L 29/82
FI (4件)：
H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z ,  G11C11/15 140 ,  H01L29/82 Z
Fターム (13件)：
5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA13 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083KA17 ,  5F083PR01 ,  5F083PR04 ,  5F083PR33
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 米国特許第6,256,223号明細書
審査官引用 (13件)
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引用文献：
審査官引用 (2件)

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