特許
J-GLOBAL ID：200903063397007992

多結晶性半導体薄膜の形成方法、及び半導体装置の製造方法

発明者：
山中 英雄

山中 英雄 について

, 
矢元 久良

矢元 久良 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-105791
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299264
出願日： 2001年04月04日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：
【要約】【課題】 高結晶化率で高品質の多結晶性シリコン等の多結晶性半導体薄膜を容易かつ低コストに、しかも大面積に形成可能な方法と、この方法を実施する装置を提供すること。【解決手段】 基体1上に高結晶化率、大粒径の多結晶性シリコン薄膜等の多結晶性半導体薄膜7を形成するに際し、或いは基体1上に多結晶性半導体薄膜7を有する半導体装置を製造するに際し、基体1上に所定形状及び寸法の段差を有する凹部190を形成し、この凹部内にシリコン又はカーボン超微粒子100Aを付着後、触媒AHA処理でクリーニングし、このクリーニングされたシリコン又は/及びダイヤモンド構造のカーボン超微粒子100Bをシードに触媒CVD法等により多結晶性半導体薄膜を成長させる気相成長工程(更に触媒AHA処理と触媒CVD等とを繰り返すこと)によって多結晶性半導体薄膜7を得る、多結晶性半導体薄膜の形成方法、又は半導体装置の製造方法。
請求項（抜粋）：
基体上に多結晶性半導体薄膜を形成するに際し、前記基体上に適当な形状/寸法の段差を有する凹部を形成する工程と、少なくとも前記凹部内にシリコン及び/又はカーボンからなる超微粒子を付着させる工程と、水素又は水素含有ガスを加熱された触媒体に接触させ、これによって生成した水素系活性種を前記超微粒子に作用させてクリーニングを行う工程と、この超微粒子をシードに結晶成長させて半導体材料薄膜を気相成長させる工程とを経て前記多結晶性半導体薄膜を得る、多結晶性半導体薄膜の形成方法。
IPC (21件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/02 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/28 ,  C23C 16/42 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/00 338 ,  G09F 9/00 342 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 360 ,  G09F 9/30 365 ,  G09F 9/35 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/336 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 29/786 ,  H01L 31/04 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/12 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/22
FI (21件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/02 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/28 ,  C23C 16/42 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/00 338 ,  G09F 9/00 342 Z ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 360 ,  G09F 9/30 365 Z ,  G09F 9/35 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/08 331 E ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/12 B ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/22 Z ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 618 A ,  H01L 31/04 X
Fターム (182件)：
2H092GA59 ,  2H092JA25 ,  2H092JA26 ,  2H092JA46 ,  2H092JB56 ,  2H092KA04 ,  2H092KA07 ,  2H092KA10 ,  2H092KA12 ,  2H092KB25 ,  2H092MA07 ,  2H092NA21 ,  2H092NA25 ,  2H092PA08 ,  2H092PA09 ,  2H092PA12 ,  3K007AB04 ,  3K007AB05 ,  3K007AB11 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007BB07 ,  3K007CA01 ,  3K007CB01 ,  3K007EB00 ,  3K007FA01 ,  4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030AA20 ,  4K030BA09 ,  4K030BA29 ,  4K030BA37 ,  4K030BB03 ,  4K030BB13 ,  4K030BB14 ,  4K030CA06 ,  4K030CA07 ,  4K030DA03 ,  4K030DA09 ,  4K030FA10 ,  4K030FA17 ,  4K030HA02 ,  4K030LA15 ,  4K030LA16 ,  4K030LA18 ,  5C094AA08 ,  5C094AA25 ,  5C094AA31 ,  5C094AA43 ,  5C094AA44 ,  5C094AA48 ,  5C094BA03 ,  5C094BA12 ,  5C094BA27 ,  5C094BA32 ,  5C094BA34 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094CA24 ,  5C094CA25 ,  5C094DA09 ,  5C094DA13 ,  5C094DB01 ,  5C094DB04 ,  5C094EA04 ,  5C094EA05 ,  5C094EB02 ,  5C094ED03 ,  5C094ED15 ,  5C094FA01 ,  5C094FA02 ,  5C094FB01 ,  5C094FB02 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB15 ,  5C094GB10 ,  5F045AA03 ,  5F045AA16 ,  5F045AB01 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AB05 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AE15 ,  5F045AF07 ,  5F045AF11 ,  5F045AF14 ,  5F045BB08 ,  5F045BB12 ,  5F045CA05 ,  5F045CA13 ,  5F045EB13 ,  5F045EF05 ,  5F045EF18 ,  5F045GH09 ,  5F045HA06 ,  5F045HA16 ,  5F048AA09 ,  5F048AB10 ,  5F048AC04 ,  5F048BA16 ,  5F048BE08 ,  5F048BG05 ,  5F051AA03 ,  5F051BA18 ,  5F051CB29 ,  5F051DA04 ,  5F051FA04 ,  5F051GA02 ,  5F051GA20 ,  5F052AA24 ,  5F052CA02 ,  5F052CA10 ,  5F052DA01 ,  5F052EA11 ,  5F052GA02 ,  5F052JA01 ,  5F052KA05 ,  5F110AA17 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110CC08 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110DD21 ,  5F110DD25 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE30 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG13 ,  5F110GG24 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG44 ,  5F110GG52 ,  5F110GG57 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN35 ,  5F110NN46 ,  5F110NN54 ,  5F110NN72 ,  5F110PP36 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ24 ,  5G435AA17 ,  5G435BB05 ,  5G435BB12 ,  5G435CC09 ,  5G435EE21 ,  5G435KK05 ,  5G435KK09 ,  5G435KK10
引用特許：
出願人引用 (13件)
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審査官引用 (13件)
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