特許
J-GLOBAL ID：200903065338679211
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-256412
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085680
出願日： 1999年09月09日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：
【要約】【課題】 ゲート電極中の不純物がゲート絶縁膜を突き抜けてチャネル領域に拡散するのを抑制し、ソース・ドレイン領域の不純物イオンが部分的にチャネル領域方向に異常拡散するのを防ぐ。【解決手段】 ゲート絶縁膜3上に、ポリシリコン膜4を被着してゲート電極5パターンにパターンニングした後、ソース・ドレイン領域9を形成する前に、窒素を含む雰囲気中で窒化処理を行って、ゲート電極5端部付近のゲート絶縁膜3中に新たに窒素を導入する。または、ゲート電極5のパターンニング後、ソース・ドレイン領域9を形成する前に、酸化処理を行うことによってゲート電極5のパターンニングの際に生じるダメージや汚染の一部を酸化膜中に取り込んで基板から除去する。その後、窒化処理を行うことにより、酸化処理によってゲート電極5端部付近に形成され、ダメージを含む酸化膜に積極的に窒素を導入する。
請求項（抜粋）：
半導体基板表面にチャネル領域およびソース・ドレイン領域を有し、該チャネル領域上にゲート絶縁膜を間に介してゲート電極を有する絶縁ゲート型電界効果トランジスタを備えた半導体装置の製造方法において、該半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、該ゲート絶縁膜上に該ゲート電極形成用の膜を被着し、ゲート電極パターンにパターンニングする工程と、該ソース・ドレイン領域を形成する工程とを含み、該ゲート電極パターンにパターニングする工程の後であって、該ソース・ドレイン領域を形成する工程の前に、窒素を含む雰囲気中で窒化処理を行って、ゲート電極端部付近のゲート絶縁膜中に窒素を導入する工程を含む半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/78 301 G
, H01L 21/318 A
5F040DA06
, 5F040DC01
, 5F040EC07
, 5F040ED03
, 5F040ED04
, 5F040ED06
, 5F040ED07
, 5F040ED09
, 5F040EF02
, 5F040EK01
, 5F040FA03
, 5F040FA04
, 5F040FA05
, 5F040FA07
, 5F040FA10
, 5F040FA11
, 5F040FB02
, 5F040FB04
, 5F040FC15
, 5F058BA05
, 5F058BC02
, 5F058BC11
, 5F058BF62
, 5F058BF64
, 5F058BF68
, 5F058BJ01
